PICOSUN? R-200標準型ALD 

技術參數 

。襯底尺寸和類型 50-200 mm /單片 
。156 mm x 156 mm太陽能硅片 
。3D 復雜表面襯底 
。粉末與顆粒 
。多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品 
。工藝溫度 ：50 - 500 °C , 可選更高溫度 
。基片傳送選件 ：氣動升降（手動裝載） ，預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ） 
。前驅體 液態、固態、氣態、臭氧源 ，4根獨立源管線，最多加載6個前驅體源 
。重量 ：350 kg 
。尺寸： (W x H x D) 取決于選件 
-最小146 cm x 146 cm x 84 cm 
-最大189 cm x 206 cm x 111 cm 
。選件 ：PICOFLOW?擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2 發生器，尾氣處理器，定制設 計，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載） 
。驗收標準 ：標準設備驗收標準為 Al2O3工藝

   

我們為液體、氣體和固體化學物提供的更高 級的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的PICOSUN? R系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅源。