- 2025-02-20 15:15:33納米紅外光譜
- 納米紅外光譜是一種用于研究納米尺度材料的光譜技術，通過測量材料在紅外波段的吸收、反射或透射特性，揭示其分子結構和化學鍵信息。該技術具有高靈敏度、高分辨率的特點，適用于分析納米材料的組成、表面狀態及界面相互作用。在材料科學、生物醫學、環境監測等領域有廣泛應用，為納米技術的研究提供了有力工具。
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納米紅外光譜資訊
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納米紅外光譜問答
- 2024-03-05 17:21:07近紅外光譜解析實用指南
- 求《近紅外光譜解析實用指南》
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- 2024-11-19 15:40:45近紅外光譜分析儀有哪些分類？
- 近紅外光譜分析儀主要分為固定波長濾光片型、光柵掃描型、傅里葉變換型（FT-NIR）和聲光可調濾光器型（AOTF）。每種類型都有其特定的應用場景和優勢，如光柵掃描型適用于需要高信噪比和分辨率的場合，而FT-NIR則以其高分辨率和掃描速度受到青睞。
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- 2022-04-24 16:42:23納米多孔氧化鋁
- 本品為化學法合成的白色球形粉末，無重金屬、 無放射性元素。物理指標①晶相 γ相②AI2O3含量 ≥99.9③ 介孔 0.38④ 原晶粒度 50-60納米化學指標①本品用于噴墨打印紙的涂層， 為紙張提高光澤。②増加涂料的耐磨性，具有助流、 提高上粉率、防結塊等特點應用范圍①導熱硅膠②電子灌封膠③粉末涂料公眾號搜索粉體圈，聯系報價。聯系方式：400-869-9320轉8990更多信息進入店鋪查看：https://www.360powder.com/shop.html?shop_id=1727
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- 2023-04-20 09:37:22BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta
- BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta 電位分析儀BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta 電位分析儀——背向 + 90°散射粒度 + Zeta 電位三合一型儀 器 簡 介BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及Zeta電位分析儀是BeNano 90+BeNano 180+BeNano Zeta 三合一的頂 級光學檢測系統。該系統中集成了背向 +90°動態光散射 DLS、電泳光散射 ELS和靜態光散射技術 SLS，可以準確的檢測顆粒的粒徑及粒徑分布，Zeta 電位，高分子和蛋白體系的分子量信息等參數，可廣泛的應用于化學、化工、生物、制藥、食品、材料等領域的基礎研究和質量分析與控制。指標與性能Index＆performance粒徑測試原理：動態光散射技術粒徑范圍：0.3 nm – 15 μm樣品量：3 μL - 1 mL檢測角度：173°+90°+12°分析算法：Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLSZeta電位測試原理：相位分析光散射技術檢測角度：12°Zeta范圍：無實際限制電泳遷移率范圍：> ±20 μ.cm/V.s電導率范圍：0 - 260 mS/cmZeta測試粒徑范圍：2 nm – 110 μm分子量測試分子量范圍：342 Da – 2 x 107 Da微流變測試頻率范圍：0.2 – 1.3 x 107 rad/s測試能力：均方位移、復數模量、彈性模量、粘性模量、蠕變柔量粘度和折光率測試粘度范圍：0.01 cp – 100 cp折光率范圍：1.3-1.6趨勢測試模式：時間和溫度系統參數溫控范圍：-15° C - 110° C+/- 0.1°C冷凝控制：干燥空氣或者氮氣標準激光光源：50 mW 高性能固體激光器， 671 nm相關器：最快25 ns采樣，最多 4000 通道，1011 動態線性范圍檢測器：APD （高性能雪崩光電二極管）光強控制：0.0001% - 100%，手動或自動軟件中文和英文符合21CFR Part 11原理圖儀器檢測檢測參數顆粒體系的光強、體積、面積和數量分布顆粒體系的 Zeta 電位及其分布分子量分布系數 PD.I擴散系數 D流體力學直徑 D H顆粒間相互作用力因子 k D溶液粘度檢測技術動態光散射電泳光散射靜態光散射
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- 2022-07-14 15:06:51淺談掃描俄歇納米探針
- 簡介 掃描俄歇納米探針，又稱俄歇電子能譜（Auger Electron Spectroscopy，簡稱AES）是一種表面科學和材料科學的分析技術。根據分析俄歇電子的基本特性得到材料表面元素成分（部分化學態）定性或定量信息。可以對納米級形貌進行觀察和成分表征。近年來，隨著超高真空和能譜檢測技術的發展，掃描俄歇納米探針作為一種極為有效的表面分析工具，為探索和研究表面現象的理論和工藝問題，做出了巨大貢獻，日益受到科研工作者的普遍重視。俄歇電子能譜常常應用在包括半導體芯片成分表征等方向發展歷史 近年來，固體表面分析方法獲得了迅速的發展，它是目前分析化學領域中最活躍的分支之一。它的發展與催化研究、材料科學和微型電子器件研制等有關領域內迫切需要了解各種固體表面現象密切相關。各種表面分析方法的建立又為這些領域的研究創造了很有利的條件。在表面組分分析方法中，除化學分析用光電子能譜以外，俄歇電子能譜是最重要的一種。目前它已廣泛地應用于化學、物理、半導體、電子、冶金等有關研究領域中。 俄歇現象于1925年由P.Auger發現。28 年以后，J.J.Lander從二次電子能量分布曲線中第一次辨認出俄歇電子譜線， 但是由于俄歇電子譜線強度低，它常常被淹沒在非彈性散射電子的背景中，所以檢測它比較困難。 1968年，L.A.Harris 提出了一種“相敏檢測”方法，大大改善了信噪比，使俄歇信號的檢測成為可能。以后隨著能量分析器的完善,使俄歇譜儀達到了可以實用的階段。 1969年圓筒形電子能量分析器應用于AES, 進一步提高了分析的速度和靈敏度。 1970年通過掃描細聚焦電子束,實現了表面組分的兩維分布的分析(所得圖像稱俄歇圖)，出現了掃描俄歇微探針儀器。 1972年，R.W.Palmberg利用離子濺射，將表面逐層剝離，獲得了元素的深度分析，實現了三維分析。至此，俄歇譜儀的基本格局已經確定， AES已迅速地發展成為強有力的固體表面化學分析方法，開始被廣泛使用。基本原理 俄歇電子是由于原子中的電子被激發而產生的次級電子。當原子內殼層的電子被激發形成一個空穴時，電子從外殼層躍遷到內殼層的空穴并釋放出光子能量；這種光子能量被另一個電子吸收，導致其從原子激發出來。這個被激發的電子就是俄歇電子。這個過程被稱為俄歇效應。Auger electron emission 入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。對于一個原子來說,激發態原子在釋放能量時只能進行一種發射：特征X射線或俄歇電子。原子序數大的元素，特征X射線的發射幾率較大，原子序數小的元素，俄歇電子發射幾率較大，當原子序數為33時，兩種發射幾率大致相等。因此，俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。 如果電子束將某原子K層電子激發為自由電子，L層電子躍遷到K層，釋放的能量又將L層的另一個電子激發為俄歇電子，這個俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子是L層電子被激發，M層電子填充到L層，釋放的能量又使另一個M層電子激發所形成的俄歇電子。 只要測定出俄歇電子的能量，對照現有的俄歇電子能量圖表，即可確定樣品表面的成份。由于一次電子束能量遠高于原子內層軌道的能量，可以激發出多個內層電子，會產生多種俄歇躍遷，因此,在俄歇電子能譜圖上會有多組俄歇峰，雖然使定性分析變得復雜，但依靠多個俄歇峰,會使得定性分析準確度很高，可以進行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時,還可以利用俄歇電子的強度和樣品中原子濃度的線性關系,進行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為5nm以內,檢出限可達到0.1%atom。是一種很有用的分析方法。系統組成 AES主要由超高真空系統、肖特基場發射電子槍、CMA同軸式筒鏡能量分析器、五軸樣品臺、離子槍等組成。以ULVAC-PHI的PHI 710舉例，其核心分析能力為25 kV肖特基熱場發射電子源，與筒鏡式電子能量分析器CMA同軸。伴隨著這一核心技術是閃爍二次電子探測器、 高性能低電壓浮式氬濺射離子槍、高精度自動的五軸樣品臺和PHI創新的儀器控制和數據處理軟件包：SmartSoft AES ? 和 MultiPak ?。并且，目前ULVAC-PHI的PHI 710可以擴展冷脆斷樣品臺、EDS、EBSD、BSE、FIB等技術，深受廣大用戶認可。PHI710激發源，分析器和探測器結構示意圖： 為滿足當今納米材料的應用需求，PHI 710提供了最高穩定性的 AES 成像平臺。隔聲罩、 低噪聲電子系統、 穩定的樣品臺和可靠的成像匹配軟件可實現 AES對納米級形貌特征的成像和采譜。 真正的超高真空（UHV）可保證分析過程中樣品不受污染，可進行明確、準確的表面表征。測試腔室的真空是由差分離子泵和鈦升華泵（TSP）抽氣實現的。肖特基場發射源有獨立的抽氣系統以確保發射源壽命。最新的磁懸浮渦輪分子泵技術用于系統粗抽，樣品引入室抽真空，和差分濺射離子槍抽氣。為了連接其他分析技術，如EBSD、 FIB、 EDS 和BSE，標配是一個多技術測試腔體。 PHI 710 是由安裝在一個帶有 Microsoft Windows ? 操作系統的專用 PC 里的PHI SmartSoft-AES 儀器操作軟件來控制的。所有PHI電子光譜產品都包括執行行業標準的 PHI MultiPak 數據處理軟件用于獲取數據的最大信息。710 可應用互聯網，使用標準的通信協議進行遠程操作。AES的應用 掃描俄歇納米探針可分析原材料（粉末顆粒，片材等）表面組成，晶粒觀察，金相分布，晶間晶界偏析，又可以分析材料表面缺陷如納米尺度的顆粒物、磨痕、污染、腐蝕、摻雜、吸附等，還具備深度剖析功能表征鈍化層，包覆層，摻雜深度，納米級多層膜層結構等。AES的分析深度4-50 ?，二次電子成像的空間分辨可達 3納米，成分分布像可達8納米，分析材料表面元素組成 （Li ~ U），是真正的納米級表面成分分析設備。可滿足合金、催化、半導體、能源電池材料、電子器件等材料和產品的分析需求。AES 應用的幾種例子，從左到右為半導體FIB-cut，鋰電陰極向陶瓷斷面分析小結本文小編粗淺的介紹了俄歇電子能譜AES的一些基礎知識，后續我們還會提供更有價值的知識和信息，希望大家持續關注“表面分析家”！
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