- 2025-03-15 20:23:30直寫光刻機
- 直寫光刻機是一種先進的光刻設備，無需使用掩模版，能直接按照計算機中設計的圖形，將微細結構轉移到材料表面。它通過激光束或其他光源直接在材料上進行圖案刻寫，實現高分辨率、高效率的圖形制造。直寫光刻機廣泛應用于微納制造、集成電路制造等領域，能夠制造出結構復雜、尺寸微小的電子元件和器件。
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直寫光刻機問答
- 2023-06-14 16:49:45無掩膜直寫光刻系統助力二維材料異質結構電輸運性能研究，意大利
- 期刊：ACS NanoIF：18.027文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】 MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發現，當MoS2與石墨烯接觸會產生van der Waals作用，使之具有良好的電學特性，可廣泛應用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質結構背后的電輸運機理尚不明確。這主要是因為傳統器件只有兩個接觸點，不能將MoS2-石墨烯異質結構產生的電學輸運特性與二維材料自身的電學特性所區分。此外，電荷轉移、應變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會對器件的電輸運性能產生影響，進一步提高了相關研究的難度。盡管已有很多文獻報道MoS2-石墨烯異質結構的電輸運性能，但這些研究主要基于理論計算，缺乏對MoS2-石墨烯異質結構的電輸運性能在場效應器件中的實驗研究。 【成果簡介】 2021年，意大利比薩大學Ciampalini教授課題組利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質結構的多場效應管器件，在場效應管器件中直接測量了MoS2-石墨烯異質結構的電輸運特性。通過比較MoS2的跨導曲線和石墨烯的電流電壓特性，發現在n通道的跨導輸運被抑制，這一現象明顯不同于傳統對場效應的認知。借助第一性原理計算發現這一獨特的輸運抑制現象與硫空位相關。 本文中所使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統- MicroWriter ML3無需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設備采用集成化設計，全自動控制，可靠性高，操作簡便，同時其還具備結構緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：
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- 2023-01-08 12:35:25中科院物理所：納米級應變直寫技術，加速二維材料應變工程技術發展 |前沿用戶報道
- 研究背景及成果應變工程是指通過拉伸或壓縮等應變技術來調控材料性能或優化相關器件性能。近些年來，隨著二維材料的興起，基于它的應變工程研究變得火熱起來。但現有的二維材料應變技術（如拉伸襯底、產生氣泡等），重復性及靈活性差，因此如何實現微區可控復雜應變成為應變工程發展的重要方向之一。在此背景下，中科院物理所納米實驗室N10組提出了一種非接觸式應變直寫技術。該技術可以在二維材料中準確寫入納米到微米尺度設計圖案的應變。這項全新應變技術，具備高度的靈活性以及半導體工藝兼容性，有望進一步推進二維材料在納米機電系統、高性能傳感和非傳統光伏到量子信息科學等廣泛領域的潛在應用。相關成果"Strain lithography for two-dimensional materials by electron irradiation."已在Applied Physics Letters 上發表。實驗思路及結果驗證光刻膠材料 PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）在電子束的輻照作用下會發生降解（如圖1所示），導致體積發生變化。光刻膠自身體積的變化，會進一步使附著在其表面的二維材料以及其它薄膜材料發生形變（如圖2所示）。基于這個原理，中科院物理所研究團隊便考慮利用電子束直寫設備的高精度圖形直寫能力，通過調控電子束劑量，創造納米級應變分布的可控應變結構制備。圖1 光刻膠（PMMA）的電子輻照降解圖2 電子束誘導二維材料應變實驗發現，通過控制電子束輻照劑量，中科院物理所研究人員可以有效控制二維材料的應變程度（如圖3所示）。拉曼光譜技術以及光致熒光（PL）光譜技術是研究半導體應變的重要工具，圖4展示了“墨西哥帽狀”復雜應變的PL光譜空間峰位分布圖， HORIBA LabRAM HR Evolution Nano 納米拉曼光譜儀的強大空間數據采集及后處理能力，進一步揭示了該方法復雜應變的制備能力，即同時制備包含拉伸應變（紅移）以及壓縮應變（藍移）結構的能力。圖3 應變調控圖4 復雜應變空間分布儀器使用評價“該工作使用 HORIBA 的 LabRAM HR Evolution Nano 納米拉曼光譜儀，可探測納米級應變分布，使用便捷；處理空間分布數據的功能非常強大。”實驗室配備的LabRAM HR Evolution Nano納米拉曼光譜儀如果您對上述產品感興趣，歡迎掃描二維碼留言，我們的工程師將會及時為您答疑解惑。課題組介紹中科院物理所納米實驗室N10組，主要研究方向有：納米材料與納米結構的可控制備、新奇物理特性及器件應用研究；自旋、能谷量子態物性研究及其在量子信息/量子計算的應用;超快磁光激光光譜學；低維/納米材料物性和器件研究等。
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- 2023-06-29 10:11:54無掩膜直寫光刻系統助力二維材料異質結構電輸運性能研究，意大利科學家揭秘其機理！
- 期刊：ACS NanoIF：18.027文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131引言MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發現，當MoS2與石墨烯接觸會產生van der Waals作用，使之具有良好的電學特性，可廣泛應用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質結構背后的電輸運機理尚不明確。這主要是因為傳統器件只有兩個接觸點，不能將MoS2-石墨烯異質結構產生的電學輸運特性與二維材料自身的電學特性所區分。此外，電荷轉移、應變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會對器件的電輸運性能產生影響，進一步提高了相關研究的難度。盡管已有很多文獻報道MoS2-石墨烯異質結構的電輸運性能，但這些研究主要基于理論計算，缺乏對MoS2-石墨烯異質結構的電輸運性能在場效應器件中的實驗研究。成果簡介2021年，意大利比薩大學Ciampalini教授課題組利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質結構的多場效應管器件，在場效應管器件中直接測量了MoS2-石墨烯異質結構的電輸運特性。通過比較MoS2的跨導曲線和石墨烯的電流電壓特性，發現在n通道的跨導輸運被抑 制，這一現象明顯不同于傳統對場效應的認知。借助第 一性原理計算發現這一獨特的輸運抑 制現象與硫空位相關。本文中所使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統- MicroWriter ML3無需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設備采用集成化設計，全自動控制，可靠性高，操作簡便，同時其還具備結構緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：
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- 2019-10-18 10:47:51小型無掩膜光刻直寫系統（MicroWriter）
- 小型臺式無掩膜光刻直寫系統（MicroWriter ML3）是英國Durham Magneto Optics公司專為實驗室設計開發，為微流控、MEMS、半導體、自旋電子學等研究領域提供方便GX的微加工方案。傳統的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業供應商提供，但是在研發環境中，掩膜板的設計通常需要經常改變。無掩膜光刻技術通過以軟件設計電子掩膜板的方法，克服了這一問題。與通過物理掩膜板進行光照的傳統工藝不同，激光直寫是通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關，經過光學系統調制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時其還具備結構緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：圖8. CsPbBr3 PNC/monolayer MoS2異質結光電器件的制備流程，紅色框所示為利用無掩膜激光直寫系統（MicroWriter）所制備電極結構示意 圖9. （左）利用MicroWriter制備的MoS2基器件的I-V特性曲線，其中所示單層MoS2形貌及表面電極；（右）MicroWriter虛擬掩膜功能（VMA）結果示意
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- 2019-10-16 10:05:04成果速遞|小型無掩膜光刻直寫系統（MicroWriter）在復旦大學包文中教授課題組的Z新研究應用
- 隨著電子信息產業的高速發展，集成電路的需求出現了井噴式的增長。使得掩膜的需求急劇增加，目前制作掩膜的主要技術是電子束直寫，但該制作效率非常低下，并且成本也不容小覷，在這種背景下人們把目光轉移到了無掩膜光刻技術。 英國Durham Magneto Optics公司致力于研發小型臺式無掩膜光刻直寫系統（MicroWriter ML3），為微流控、MEMS、半導體、自旋電子學等研究領域提供方便GX的微加工方案。傳統的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業供應商提供，但是在研發過程中，掩膜板的設計通常需要根據實際情況多次改變。無掩膜光刻技術通過以軟件設計電子掩膜板的方法，克服了這一問題。與通過物理掩膜板進行光照的傳統工藝不同，激光直寫是通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關，經過光學系統調制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時其還具備結構緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：相關參考：1. 小型無掩膜光刻直寫系統：http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=2972. High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 18034653. Wafer-scale transferred multilayer MoS2 for high performance field effect transistors. Nanotechnology, 2019, 30,174002
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