URE-2000/35 型紫外單面光刻機
1.技術特征——非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,自動化程度高)和高校教學科研(可靠性好,演示方便)采用自動找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動分離對準間隙和消除曝光間隙,采用 350W 進口(德國)直流汞燈,可調節光的能量密度。設備外形美觀精制,性能非常可靠,自動化程度很高,操作十分方便。
2.技術參數
。曝光面積:4 英寸
。曝光波長:365nm
。分辨力:0.8μm
。對準精度:±0. 8μm
。掩模樣片整體運動范圍:X:15mm;Y:15mm
。掩模尺寸:2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸
。樣片尺寸:直徑 ±10mm-- ±100mm(各種不規則片) 厚度 0.1mm--5mm(可擴展為 15mm)
。曝光方式:定時和定劑量18
。具備真空接觸曝光、硬接觸曝光、壓力接觸曝光,以及接近式曝光四種功能
。照明不均勻性: 3%(±100mm 范圍)
。雙目雙視場對準顯微鏡:既可通過目鏡目視對準,也可通過 CCD+顯示器對準,光學合像,光學倍數 400 倍,光學+電子放大 800 倍
物鏡三對:4 倍、10 倍、20 倍
目鏡三對:10 倍、16 倍、20 倍
。調平接觸壓力通過傳感器保證重復
。數字設定對準間隙和曝光間隙
。具備壓印模塊接口,也具備接近模塊接口
掩模相對于樣片運動行程:
X: ± 5mm; Y: ± 5mm; Thelta: ± 6o
。焦厚:400μm(SU8 膠,用戶提供檢測條件)
。光源平行性:3.5 o
。曝光能量密度:>20mW/cm2,照明面溫度<35 o
。單層曝光一鍵完成
。采用球氣浮自動找平
。汞燈功率:350W(直流,進口汞燈)
3.外形尺寸:1200mm(長)x900mm(寬) x1750mm(高)
4.配置
(1)曝光頭
。冷光橢球鏡
。350W 進口直流高壓汞燈(進口)
。XYZ 汞燈調節臺
。冷卻風扇
。光學系統:固定光欄、可變光欄、快門、準直鏡鏡 1、準直鏡鏡 2、蠅眼透鏡組(79 個透鏡)、i 線濾光片、場鏡1、冷光反射鏡 1、反射鏡 2
(2)對準工件臺
。掩模樣片整體運動臺
。掩模樣片相對運動臺19
。轉動臺
。樣片調平機構,自動完成
。基片抽拉式上下機構
。樣片調焦機構,電機自動調
。承片臺 4 個:?15mm 、2 英寸、3 英寸、4 英寸(可按用戶要求增減)
。掩模夾 4 個:3 英寸、4 英寸、5 英寸(可按用戶要求增減)
(3)對準顯微鏡
。光源(配備品 2 只)、 電源
。雙目雙視場對準顯微鏡主體
。目鏡 3 對(10 倍、16 倍、20 倍,共 6 個)
。物鏡 3 對(4 倍、10 倍、20 倍,共 6 個)
。CCD 對準系統,21 寸液晶顯示器
(4)電控系統
。汞燈觸發電源(350W 直流汞燈)
。單片機控制系統
。控制柜桌
(5)氣動系統
。氣缸、電磁閥、減壓閥、氣動開關等
。電磁閥驅動
。氣動儀表
(6)其他附件
。真空泵一臺
。空壓機一臺
。管道
報價:面議
已咨詢1674次中國科學院
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ASML 光刻機 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 緊湊式濺射系統 Compact Sputter,靈活的基板尺寸,最大可達6英寸,基板架加熱溫度最高可達500℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%, 最多可配備5個6英寸磁控濺射源(可選配3或4個),支持射頻、直流或脈沖直流電源,最多可支持3條氣體管路,支持順序沉積和共沉積。
Syskey 緊湊式熱蒸發系統 Compact Thermal ,靈活的基板尺寸,最大可達6英寸, 基板架加熱溫度最高可達500℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%,可選配電子束或熱舟蒸發源(最多3個),速率控制沉積,可沉積多層薄膜,選用特定目標材料
高真空濺射系統 HV Sputter,靈活的基板尺寸,最大可達12英寸或200×200毫米, 基板架加熱溫度最高可達800℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%
超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源(數量最多 8 個),可選強磁版本
Syskey 高真空熱蒸發鍍膜機HV Thermal 高真空熱蒸發系統可提供的真空環境 用于常見薄膜沉積,包括金屬、有機物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統可滿足各種應用要求,包括OLED、OPV、OPD等。
Syskey 超高真空熱蒸發鍍膜機UHV Thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °C? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%? 船和電池源(數量最多 6 個)? 可以共蒸發和摻雜。? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統集成
Syskey 高真空電子束鍍膜系統 HV E-beam, 靈活的基板尺寸可達 12 英寸,? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%