
- 2025-07-23 23:33:58聚焦離子束
- 聚焦離子束(FIB)是一種利用靜電場或電磁場將離子束聚焦成非常小的斑點,進行精確加工的技術。它基于離子與物質相互作用原理,通過離子束轟擊樣品表面,實現微納加工、刻蝕、沉積等功能。FIB廣泛應用于半導體行業、材料科學、生物醫學等領域,用于器件修改、截面制備、三維納米結構制造等,是納米科技研究中的重要工具。
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聚焦離子束資訊
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- 預算750萬元 北京大學深圳研究生院采購聚焦離子束掃描電子顯微鏡
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- ZEISS聚焦離子束掃描電鏡Crossbeam 350
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- Hitachi聚焦離子束系統 MI4050
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似空科學儀器(上海)有限公司
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- 賽默飛世爾 雙束聚焦離子束掃描電鏡 Arctis 冷凍等離子體聚焦離子束掃描電鏡
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賽默飛電子顯微鏡
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- 二手 蔡司 Crossbeam 350 聚焦離子束掃描電子顯微鏡SEM
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上海愛儀通網絡科技有限公司
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- 二手 蔡司 Crossbeam XB540 聚焦離子束掃描電鏡
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上海愛儀通網絡科技有限公司
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聚焦離子束問答
- 2020-07-14 10:37:29JIB-4000 聚焦離子束加工觀察系統升級為JIB-400
- JIB-4000 聚焦離子束加工觀察系統升級為JIB-4000PLUSJIB-4000 聚焦離子束加工觀察系統升級了,新型號:JIB-4000PLUS。該設備為單束FIB裝置,不僅可以對樣品表面進行SIM觀察 、研磨、及碳和鎢等沉積,還可以為TEM制備薄膜樣品和截面樣品;可選3D觀察功能、自動TEM樣品制備功能,能對應多種制樣需求。
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- 2018-11-30 07:22:54聚焦離子束的工作原理
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- 2018-12-15 01:16:57聚焦離子束系統與掃描電子顯微鏡各有哪些功能和特點
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- 2025-05-16 11:15:25掃描電鏡怎么聚焦
- 掃描電鏡怎么聚焦 掃描電鏡(SEM,Scanning Electron Microscope)作為一種強大的分析工具,廣泛應用于材料科學、生物學、半導體等領域。其核心功能之一就是通過的聚焦技術,確保掃描電子束能夠高效且清晰地探測樣品表面特征,從而提供高分辨率的圖像和數據。要獲得高質量的掃描圖像,正確的聚焦至關重要。在這篇文章中,我們將詳細探討掃描電鏡的聚焦原理、聚焦過程中常見的問題以及如何通過合理調整參數確保佳成像效果。 掃描電鏡的聚焦原理 掃描電鏡的基本原理是利用電子束掃描樣品表面,并通過探測二次電子、背散射電子等信號來形成圖像。電鏡中的電子束必須聚焦在樣品的表面,以獲得清晰的圖像。聚焦過程通過調節電子束的大小、形狀和射向樣品的角度來實現,這需要精確的控制電子鏡頭系統。在SEM中,電子鏡頭通常由多個磁透鏡構成,每個透鏡通過調整電流來影響電子束的聚焦度。 如何聚焦掃描電鏡 調節光圈:光圈控制電子束的大小,它直接影響到束流的強度和成像的深度。當光圈調整不當時,電子束可能會擴散或聚焦不清,導致圖像模糊。通常,使用較小的光圈會提供更高的分辨率,但也會減小視場。 調整物鏡透鏡:掃描電鏡通過物鏡透鏡進行精確聚焦。物鏡透鏡的調節主要是通過改變電流強度來實現。當樣品距離透鏡不合適時,圖像會顯得不清晰,因此調整物鏡透鏡的位置是確保清晰成像的關鍵。 對焦的細節調節:在實際操作中,電鏡通常配備精細的對焦系統,允許用戶在微米甚至納米級別精確調節焦點。通過在圖像屏幕上觀察樣品表面,可以實時調整焦距,直到圖像清晰為止。 常見的聚焦問題及其解決方法 圖像模糊:這通常是由于對焦不準或電子束未能有效聚焦所致。解決方法是通過調整物鏡透鏡和光圈來重新聚焦,或者檢查電鏡的電子源是否穩定。 樣品表面損傷:當聚焦過于集中時,電子束的能量過高可能會對樣品表面造成損害。為避免這種情況,應適當減小束流并適當調節對焦。 焦點漂移:由于樣品或電鏡系統的溫度變化,焦點可能會發生漂移。為了克服這個問題,使用精細的對焦調節系統是非常重要的。 如何確保佳聚焦效果 在掃描電鏡的操作中,確保佳聚焦效果的關鍵是細致的調節和耐心的操作。除了基礎的物鏡調節和光圈控制外,操作員應當熟悉樣品的特性和掃描參數的影響,并能夠根據實際情況調整聚焦參數。保持電鏡系統的穩定性,定期校準設備,也能大大提高聚焦效果和圖像質量。 掃描電鏡的聚焦是一個精細而復雜的過程,只有通過對電子束的準確控制與合理調節,才能確保獲得高質量的掃描圖像。掌握這一過程的技巧,能夠極大提升掃描電鏡在科學研究和工業應用中的精度和可靠性。
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- 2022-11-25 16:10:30離子束刻蝕(IBE)技術研究
- 離子束刻蝕(IBE)技術研究 1.離子束刻蝕(IBE)技術的原理?離子束刻蝕(IBE,Ion Beam Etching)也稱為離子銑(IBM,Ion Beam Milling),也有人稱之為離子濺射刻蝕,是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子,氬離子經過陽極電場的加速對樣品表面進行物理轟擊,以達到刻蝕的作用。刻蝕過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體,然后由柵極將離子呈束狀引出并加速,具有一定能量的離子束進入工作室,射向固體表面轟擊固體表面原子,使材料原子發生濺射,達到刻蝕目的,屬純物理刻蝕。工件表面有制備溝槽的掩膜,最后裸露的部分就會被刻蝕掉,而掩膜部分則被保留,形成所需要的溝槽圖形。離子束刻蝕使高方向性的中性離子束能夠控制側壁輪廓,優化納米圖案化過程中的徑向均勻性和結構形貌。另外傾斜結構可以通過傾斜樣品以改變離子束的撞擊方向這一獨特能力來實現。在離子束刻蝕過程中,通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。為了便于后面光刻膠的剝離清洗,一般需要對樣品臺進行冷卻處理,使整個刻蝕過程中溫度控制在一個比較好的范圍。 圖1 離子束刻蝕設備結構圖圖2 離子束刻蝕工藝原理圖 2.離子束刻蝕(IBE)適合的材料體系?可用于刻蝕加工各種金屬(Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等)及其合金,以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導體、聚合物、陶瓷、紅外和超導等材料。目前離子束刻蝕在非硅材料方面優勢明顯,在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。 3. 離子束刻蝕(IBE)技術的優點和缺點?a 優點: (1)方向性好、無鉆蝕、陡直度高; (2)刻蝕速率可控性好,圖形分辨率高,可達0.01um; (3)屬于物理刻蝕,可以刻蝕各種材料(Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻膠等); (4)刻蝕過程中可改變離子束入射角來控制圖形輪廓,加工特殊的結構;b 缺點: (1)刻蝕速率慢、效率比ICP更低; (2)難以完成晶片的深刻蝕; (3)屬于物理刻蝕,常常會有過刻的現象。 4.反應離子束刻蝕(RIBE)技術簡介及優點?反應離子束刻蝕(RIBE)是在離子束刻蝕的基礎上,增加了腐蝕性氣體,因此它不但保留了離子束物理刻蝕能力,還增加了腐蝕性氣體(氟基氣體、O2)離化后對樣品的化學反應能力(反應離子束刻蝕:RIBE),也支持腐蝕性氣體非離化態的化學輔助刻蝕能力(化學輔助離子束刻蝕:CAIBE),對適用于化學輔助的材料可以大幅度提升刻蝕速率,提高刻蝕質量。 5. 離子束刻蝕(IBE)的案例展示 典型應用:1、三族和四族光學零件2、激光光柵3、高深寬比的光子晶體刻蝕4、在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕5、微流體傳感器電極6、測熱式微流體傳感器
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