Syskey 等離子增強化學氣相沉積 PECVD

我們生產用于的 PECVD 系統,  氣體管線可實現硅基材料沉積。全自動作支持一鍵工序。

配置和優勢：

? 靈活的基板尺寸可達 12 英寸
? 基板支架加熱至 400 °C
? 優異的薄膜均勻性，低于 ±5%
? 6 條反應性氣體管路，適用于 SiO2、Si3N4 沉積
? 用選定的目標材料沉積多層薄膜
? 負載鎖定是可選的
? 等離子自清潔是可選的
? TEOS 工藝是可選的