MOCVD外延薄膜的生長速率與溫度的關(guān)系，以及如何實時檢測襯底溫度

來源：武漢嘉儀通科技有限公司      分類：應(yīng)用方案 2025-05-23 18:00:18 8閱讀次數(shù)

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在MOCVD工藝中，外延薄膜的生長速率與溫度存在高度非線性關(guān)系，且溫度波動會直接影響薄膜的均勻性和結(jié)晶質(zhì)量。

根據(jù)溫度的變化可以將外延薄膜生長行為大致分成三個區(qū)：動力學(xué)控制區(qū)、質(zhì)量傳輸控制區(qū)、熱力學(xué)控制區(qū)：

動力學(xué)控制區(qū)：生長速率隨溫度升高呈指數(shù)增長；隨溫度的升高，生長速率會因源分解加劇而變快。溫度波動對反應(yīng)速率影響很大，進而影響生長薄膜的均勻性。

質(zhì)量傳輸控制區(qū)：當溫度上升到能使源完全分解時，生長速率基本不隨溫度變化或緩慢下降，此后質(zhì)量輸運將主導(dǎo)生長速率，從而獲得穩(wěn)定、可控的外延層。

熱力學(xué)控制區(qū)：伴隨溫度的持續(xù)上升，源反應(yīng)進一步加劇，外延層發(fā)生分解，生長速率下降。

作為MOCVD工藝的溫度"聽診器"，TC-wafer溫度校準儀通過實時精準監(jiān)測襯底溫度，為工藝調(diào)控提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。為化合物半導(dǎo)體、功率器件等高端外延生長提供了工藝穩(wěn)定性保障。

TC-wafer溫度校準儀的特點：

實時響應(yīng)：顯示實時點位圖及溫度分布圖，可在使用過程中實時觀察各點溫度變化；

精確測量：直接放置在MOCVD反應(yīng)室內(nèi)，模擬真實晶圓的溫度響應(yīng)；

多點位溫度測繪：支持20路實時測量(可定制)多個位置的溫度，提供完整的溫度分布圖；

寬溫度范圍覆蓋：精確測量范圍從室溫到1200℃，覆蓋MOCVD工藝需求；

測溫準確：溫度分辨率0.1℃、采集周期為200ms，能準確測量晶圓溫場均勻性；

功能強大：10000條歷史數(shù)據(jù)存儲量，能調(diào)閱歷史溫度和均勻性數(shù)據(jù)。可做同一臺設(shè)備不同時間段、以及不同設(shè)備同一配方的數(shù)據(jù)對比；

使用便捷：儀器集成度高，即插即用，配備磁吸支架可貼靠于設(shè)備表面。測試記錄完整數(shù)據(jù)，并能自動生成測試報告；

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