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2025-05-27 09:25:29半導體器件測試儀
半導體器件測試儀是一種專門用于測試半導體器件性能的設備,它能夠測量半導體器件的電壓、電流、電阻、電容等電學參數,以及評估其開關速度、功耗、可靠性等性能指標。該測試儀廣泛應用于半導體生產、研發及質量檢測領域,能夠確保半導體器件符合設計要求及可靠性標準。通過精確的測試,可及時發現半導體器件的潛在問題,提高產品質量和生產效率。儀器網(www.yosen.net.cn)提供更多半導體器件測試儀的詳細信息及選型指南。

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2023-01-10 13:42:12應用分享丨Nexsa G2小束斑+特色SnapMap快照成像功能分析SnO?成分半導體器件
01前言近幾年來,隨著國內科技產業的不斷升級,對微電子器件的需求日益增加。特別是高科技產品的快速發展,比如智能手機、電腦、無人機、新能源汽車、智能機器人等,對高性能微電子器件的需求更是呈指數級增長,這使得微電子器件自然而然就成為人們研究的熱點材料。在微電子器件的研究中,通常需要對微電子器件表面進行各種加工、改性處理,來使其具有不同的性能。由于X射線光電子能譜儀(XPS)是一種表面分析技術,隨著商業化XPS設備的普及,其在微電子器件研究中的應用越來越廣泛,逐漸成為微電子器件研究中不可或缺的分析手段。本文將通過賽默飛最 新一代XPS表面分析平臺Nexsa G2,對半導體器件表面形成的窄條形SnOx成分進行小束斑+特色SnapMap快照成像測試,展示如何通過設備小束斑+成像功能,快速全面分析這類特殊小尺寸半導體器件表面成分及其在面內分布情況,來輔助評估表面處理效果及器件質量。02樣品情況、測試方案及測試設備樣品如下圖1所示,為表面噴金形成的金箔,對金箔進行處理,中間形成了窄條形的SnOx成分,尺寸約22um(寬)╳193um(長),需要確定SnOx具體成分及其是否在金箔中有擴散,來輔助評估器件質量及表面處理效果。圖1 SnOx成分半導體器件示意圖由于形成SnOx成分區域的尺寸較小,測試時采用小束斑XPS測試+SnapMap快照成像解決方案:小束斑XPS測試:采用10um束斑,直接聚焦到窄條形區域,可快速得到樣品表面元素及其化學態信息,輔助確定SnOx具體成分。SnapMap快照成像測試:Nexsa G2成像速度快,可快速得到樣品表面元素及其化學態在面內分布信息,輔助評估SnOx成分分布及其擴散情況。樣品采用賽默飛Nexsa 系列最 新表面分析平臺Nexsa G2進行測試。Nexsa G2是一款自動化程度高、小束斑性能優異;同時,也可實現多技術聯用的高性能、高效率表面分析平臺。設備特色的SnapMap快照成像功能,成像測試速度快,可實現高效成像分析。設備如下圖2所示。圖2 賽默飛Nexsa G2 XPS產品03SnOx成分半導體器件小束斑XPS+SnapMap快照成像測試結果分析3.1SnOx成分半器件小束斑XPS測試結果分析由于形成SnOx成分區域的尺寸較小,為快速分析此區域表面元素及化學態信息,采用小束斑(10μm),直接聚焦到樣品窄條形區域進行測試,SnOx成分區域表面XPS測試數據如下圖3所示:圖3 SnOx成分區域表面小束斑XPS測試譜圖及定量結果由上圖SnOx成分區域常規XPS數據,可得到如下信息:由O1s譜圖,可看到此區域表面氧元素表現出不同化學態,主要為C-O/C=O污染成分和Sn-O成分。比較氧元素中Sn-O成分和氧化態錫元素相對含量,可看到:原子百分比(At%):Sn(Oxide):O(Sn-O)≈1:2,可判斷SnOx成分主要為SnO2。此區域表面含較多Au元素。此區域表面含較多C元素,可判斷表面有一定程度污染。3.2SnOx成分半導體器件SnapMap快照成像測試結果分析為分析形成SnOx成分的分布及擴散情況,采用小束斑(10um),選擇Sn/Au/O元素進行SnapMap快照成像,成像區域大?。?50μm╳250μm。元素成像圖如下圖4所示(成像圖顏色以熱圖模式顯示)。圖4 Au/Sn元素成像圖及疊加圖由上成像圖,可快速得到Au/Sn元素在面內分布情況。顏色越亮,表示對應成分含量越多:分析Au/Sn元素成像譜圖,可直觀看到Au、Sn元素在面內分布區域互補。分析Au/Sn元素成像譜圖疊加,可直觀看到Au、Sn兩元素在面內分布情況;同時,可快速判斷形成的SnOx成分沒有出現明顯擴散情況。此外,對Au/Sn/O元素成像圖進行了進一步處理。在成像譜圖中,選10um╳10um的小尺寸區域,直接聚焦到Au/Sn元素分布特征區域回溯成譜,將成像圖轉化成XPS譜圖,可快速分析不同區域元素及化學態差異,輔助進一步確認SnOx成分及其擴散情況。Au/Sn/O元素成像圖不同區域回溯成譜,如下圖5所示。圖5  Au/Sn/O元素成像圖不同位置回溯成譜由上圖,分析Au/Sn/O元素成像圖不同位置回溯成的XPS譜圖,可直觀看到:SnOx成分區域表面檢出明顯Sn元素信號;同時,此區域也含有一定量Au元素。由Au/Sn/O元素不同化學態含量表格,可看到Sn(Oxide):O(Sn-O)≈1:2,進一步確定SnOx區域成分為SnO2。Au元素區域表面未檢出Sn信號,說明SnOx成分在此區域沒有出現明顯擴散情況。為進一步判斷SnOx成分在與Au分布區域交界處是否存在擴散情況,對Sn元素成像圖進行線掃描處理,將成像圖轉化成Sn元素計數率隨距離變化圖,如下圖6所示。圖6 Sn元素成像圖線掃描由上圖Sn元素線掃描圖,可直觀看到SnOx成分在Au/Sn交界處也沒有出現明顯擴散情況。說明對Au箔處理后,處理效果好,形成SnOx成分的窄條形區域質量好。04 小結本文通過賽默飛最 新一代XPS表面分析平臺Nexsa G2對金箔表面處理形成SnOx成分的小條形區域進行小束斑XPS+SnapMap快照成像測試,得到了豐富的樣品信息。小束斑XPS測試:Nexsa G2,可實現束斑大小10~400um連續可調,小束斑下也具有極 佳測試靈敏度,保證測試譜圖質量。對于這類特殊小尺寸樣品,直接選擇小束斑,聚焦到小尺寸區域,可快速得到樣品表面元素及其化學態信息。通過這些信息,可輔助快速判斷樣品表面處理形成的SnOx成分為SnO2。SnapMap快照成像測試:Nexsa G2特色SnapMap快照成像功能,可實現高效成像測試,快速得到不同元素及化學態在面內分布信息。通過分析Au/Sn/O元素成像圖,可進一步確定SnOx成分為SnO2;同時,可確定SnOx成分沒有出現擴散情況,說明樣品表面處理效果較好,形成SnOx成分的窄條形區域質量好。
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2021-05-13 11:29:10吉時利源表助力半導體分立器件I-V特性測試
近期有很多用戶在網上咨詢I-V特性測試, I-V特性測試是很多研發型企業和高校研究的對象,分立器件I-V特性測試可以幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數,并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣。I-V特性測試難點:  種類多微電子器件種類繁多,引腳數量和待測參數各不相同,此外,新材料和新器件對測試設備提出了更高的要求,要求測試設備具備更高的低電流測試能力,且能夠支持各種功率范圍的器件。尺寸小隨著器件幾何尺寸的減小,半導體器件特性測試對測試系統的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級,這些對低噪聲源表,探針臺和顯微鏡性能都提出了更高的要求。I-V特性測試方案: 針對I-V 特性測試難點,安泰測試建議可采用keithley高精度源測量單元(SMU)為核心測試設備,配備使用簡便靈活、功能豐富的 CycleStar 測試軟件,及穩定的探針臺。 圖:系統配置連接示意圖測試功能:這是一個簡單易用的I-V特性測試方案,無論對于雙端口或三端口器件,如二極管、晶體管、場效應管都很適用。? 二極管特性的測量與分析? 雙極型晶體管 BJT 特性的測量與分析? MOSFET 場效應晶體管特性的測量與分析? MOS器件的參數提取 吉時利源表簡介及熱門型號推薦: 吉時利源表將數字萬用表 (DMM)、電源、實際電流源、電子負載和脈沖發生器的功能集成在一臺儀器中。通過吉時利源表進行分立器件 I-V 特性測試時,支持同時操作兩臺吉時利源表,輕松完成三端口器件測試。此外,因為吉時利源表兼顧高精度和通用性,廣泛適用于教育、科研、產業等眾多行業。安泰測試作為泰克吉時利長期合作伙伴,為多家院校,研究所提供了I-V特性測試方案,并提供了吉時利源表現場演示,如果您也有相關應用,歡迎關注安泰測試網。
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2025-02-25 14:00:13摩擦系數測試儀多少錢
摩擦系數測試儀多少錢 摩擦系數測試儀是一種用于測量物體之間摩擦力大小的精密儀器,廣泛應用于各類工業領域,如材料測試、汽車制造、航天航空等。隨著行業對精確測試要求的不斷提升,摩擦系數測試儀在市場上的需求不斷增長。本文將深入探討摩擦系數測試儀的市場價格,并分析影響其價格的因素,幫助您更好地了解該設備的市場趨勢及采購時的選擇標準。 摩擦系數測試儀的價格受多種因素的影響,主要包括設備的品牌、技術指標、測試精度、功能配置以及售后服務等。不同品牌和型號的摩擦系數測試儀,價格差異較大。例如,一些入門級的摩擦系數測試儀,適合一般的小型實驗室和企業使用,價格可能在幾千元到幾萬元人民幣之間。而高端的測試儀器,擁有更高的精度、更廣泛的測試功能,價格通常在幾萬元到十幾萬元人民幣之間。 摩擦系數測試儀的應用場景也是影響其價格的重要因素。不同領域對儀器的性能要求不同,特別是對測試精度和可靠性的要求較高的行業,如航空航天、汽車工業等,通常需要更為專業的設備,價格自然也會相應更高。隨著科技的進步,一些摩擦系數測試儀開始采用更先進的傳感器技術、數據分析系統等,提升了儀器的智能化水平,這也會導致其價格的上升。 摩擦系數測試儀的價格還受到市場供求關系的影響。隨著國內外市場需求的變化,不同品牌和型號的摩擦系數測試儀的價格也會出現波動。比如,隨著一些先進技術的普及和生產工藝的成熟,某些品牌的摩擦系數測試儀的價格可能會有所下降,而市場上新的高端測試儀的推出,也可能導致部分老舊型號的價格下調。 摩擦系數測試儀的價格并不是固定不變的,它受到多種因素的共同影響。在選擇摩擦系數測試儀時,除了考慮價格因素外,還需綜合考慮設備的技術參數、應用需求、售后服務等各方面因素,選擇適合自身需求的儀器,以確保測試結果的準確性和可靠性。
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2025-01-09 12:45:12阻燃性能測試儀多少錢
阻燃性能測試儀多少錢?影響價格的因素分析 隨著工業安全和產品質量要求的不斷提高,阻燃性能測試儀在各類生產企業和科研機構中的應用越來越廣泛。許多采購方在選購這類設備時,都會對其價格產生疑問。本文將從多個角度分析阻燃性能測試儀的價格范圍,并探討影響其價格的主要因素,幫助大家更好地了解如何根據自身需求選擇合適的設備。 阻燃性能測試儀的市場價格范圍 阻燃性能測試儀的價格受多種因素影響,通常其價格區間可以從幾萬元到幾十萬元不等。入門級的簡易型設備價格相對較低,而高端的、功能更為全面的設備則價格較高。對于一般企業或實驗室而言,選擇價格適中的中檔設備更為合適。根據設備的檢測標準和所支持的測量項目不同,價格會有所差異。比如,有些設備可能只適用于常規的燃燒性能測試,而高級型號則可能支持更復雜的燃燒行為分析及更廣泛的材料適用范圍。 影響阻燃性能測試儀價格的因素 設備功能和測量范圍 不同型號的阻燃性能測試儀在功能和測量能力上存在顯著差異。一些基礎型號的設備只具備單一的燃燒性能測試功能,而高級型號則可能集成了多個測試項目,如熱解測試、火焰傳播測試、煙霧密度測試等。功能的多樣性和測量范圍直接影響設備的成本。 測量精度與技術水平 測量精度越高、技術越先進的設備通常價格越高。高精度的測試儀器能夠提供更準確的數據,滿足更嚴格的質量控制和安全檢測需求。因此,精度和技術水平也是影響價格的重要因素。 品牌與售后服務 設備的品牌影響著其定價,知名品牌通常會因其質量保證和良好的售后服務而定價更高。設備的保修期、技術支持服務等售后保障也是價格差異的重要原因。 材料與結構設計 高端阻燃性能測試儀往往采用更為先進的材料和技術,如耐高溫材料、自動化程度更高的操作界面等。這些材料和設計上的投入提高了生產成本,也使得設備價格水漲船高。 認證標準與合規性 不同的市場和行業對阻燃性能測試儀的要求不同,特別是涉及到一些國際認證或行業標準的產品時,設備的生產和驗證成本較高。因此,符合國際認證標準的阻燃性能測試儀其價格通常較高。 選擇阻燃性能測試儀時的注意事項 在考慮阻燃性能測試儀價格時,除了關注預算外,用戶還應綜合考慮設備的性能需求、日常使用頻率、售后服務以及品牌信譽等多方面因素。選擇一款性價比高、功能齊全的設備不僅能夠確保測試數據的可靠性,還能避免因設備質量問題帶來的不必要損失。 結語 總體來看,阻燃性能測試儀的價格受到多種因素的影響,選擇時應根據實際需求進行合理決策。購買時,除了關注設備價格外,還應特別注重設備的測試精度、功能全面性、售后服務等因素,確保能夠為產品的質量檢測提供充分保障。選擇適合的阻燃性能測試儀,不僅是提升生產安全的重要保障,更是提升產品市場競爭力的關鍵所在。
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2023-02-01 14:56:12蔡司激光共聚焦顯微鏡-微納器件的表征分析
對微納器件進行表征時,常關注的便是器件的表面形貌和三維尺寸信息,比如粗糙度、深度、體積等,這些都是評價微納加工工藝的重要指標。然而,在進行表面三維的分析工作中,我們可能常遇到這樣的苦惱:  光學明場無法直接定位到亞微米級缺陷結構!  樣品結構太復雜,微弱信號無法捕獲,難以準確測量尺度信息!  三維接觸式測量經常會損傷柔軟樣品,導致測試結果不準確!  今天,友碩小編將從下面幾個角度來看看蔡司激光共聚焦顯微鏡如何幫助你更好地解決這些問題?! ∈Х治觯憾喑叨榷嗑S度原位分析!  器件表面往往存在一些特殊的結構或缺陷,比如亞微米尺度的劃痕,這些特征難以在光學明場下被直接觀察到。C-DIC(圓微分干涉)觀察模式可以讓樣品表面亞微米尺度的微小起伏都可以呈現出浮雕效果,幫助我們快速定位并開展下一步的分析工作。  ▲ 不同觀察方式下晶圓表面缺陷  在定位到感興趣區域后,可以直接切換到共聚焦模式,進行表面三維形貌掃描,并進行尺寸測量及分析,無需轉移樣品即可完成樣品多尺度多維度的表征?!  簿劢谷S圖像及深度測量  對于某些樣品,暗場和熒光模式也是一種很好定位方法,表面起伏的結構在暗場下尤其明顯,如藍寶石這類能發熒光的晶圓,利用熒光成像也能幫助我們快速地定位到失效結構。甚至,共聚焦還可以和電鏡或者雙束電鏡(FIB)(點擊查看)實現原位關聯,在共聚焦顯微鏡下進行定位后轉移樣品到電鏡下進行更高分辨的表征分析?! ∩罟杩涛g:結構深,信號弱,蔡司激光共聚焦顯微鏡有辦法!  深硅刻蝕的樣品通常為窄而深的溝壑結構。接觸式測量(如臺階儀)無法接觸到溝壑底部測得信息,而由于結構特殊造成了反射光信號損失,常規白光干涉或者顯微明場無法捕獲底面的微弱信號。因此,不得不對樣品進行裂片分析,這不僅破壞了樣品,而且還使分析流程復雜化?! ∥骱髮W張先鋒老師用蔡司激光共聚焦顯微鏡對深163.905 μm,寬3.734μm的刻蝕坑進行成像,高靈敏探測器、大功率激光及Z Brightness Correction技術可以幫助成功檢測到底部的微弱信號,完成大深寬比(近50:1)樣品的三維形貌表征與測量,輕松實現無損檢測分析。
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