av影视天堂,亚洲一在线,国产精品亚洲精品

2025-06-18 11:22:38分立器件測試設備: 分立器件測試設備是用于檢測分立器件（如二極管、晶體管、電阻器等）性能的關鍵設備。它能夠測量器件的電氣參數，如電壓、電流、功率、電容等，以及評估其可靠性、穩定性和頻率響應等特性。這些設備通常具有高精度、高速度和自動化測試能力，能夠大幅提高測試效率和準確性。在半導體生產、電子產品研發和質量控制等領域，分立器件測試設備發揮著至關重要的作用，是確保分立器件質量和性能不可或缺的工具。

分立器件測試設備相關內容

全部
產品
問答

分立器件測試設備產品

產品名稱

所在地

價格

供應商

咨詢

: 大功率分立器件測試設備; 國內湖北; ￥1000; 武漢普賽斯儀表有限公司
售全國; 我要詢價聯系方式

: 半導體分立器件測試設備; 國內湖北; ￥1000; 武漢普賽斯儀表有限公司
售全國; 我要詢價聯系方式

: 大功率分立器件測試設備; 國內廣東; 面議; 深圳市華科智源科技有限公司
售全國; 我要詢價聯系方式

: 半導體分立器件靜態參數測試系統@功率器件測試設備; 國內湖北; ￥1000; 武漢普賽斯儀表有限公司
售全國; 我要詢價聯系方式

: 半導體分立器件靜態測試設備; 國內湖北; ￥1000; 武漢普賽斯儀表有限公司
售全國; 我要詢價聯系方式

分立器件測試設備問答

2021-05-13 11:29:10吉時利源表助力半導體分立器件I-V特性測試: 近期有很多用戶在網上咨詢I-V特性測試， I-V特性測試是很多研發型企業和高校研究的對象，分立器件I-V特性測試可以幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數，并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣。I-V特性測試難點：種類多微電子器件種類繁多，引腳數量和待測參數各不相同，此外，新材料和新器件對測試設備提出了更高的要求，要求測試設備具備更高的低電流測試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。尺寸小隨著器件幾何尺寸的減小，半導體器件特性測試對測試系統的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微鏡性能都提出了更高的要求。I-V特性測試方案：針對I-V 特性測試難點，安泰測試建議可采用keithley高精度源測量單元（SMU）為核心測試設備，配備使用簡便靈活、功能豐富的 CycleStar 測試軟件，及穩定的探針臺。圖：系統配置連接示意圖測試功能：這是一個簡單易用的I-V特性測試方案，無論對于雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場效應管都很適用。? 二極管特性的測量與分析? 雙極型晶體管 BJT 特性的測量與分析? MOSFET 場效應晶體管特性的測量與分析? MOS器件的參數提取吉時利源表簡介及熱門型號推薦：吉時利源表將數字萬用表 (DMM)、電源、實際電流源、電子負載和脈沖發生器的功能集成在一臺儀器中。通過吉時利源表進行分立器件 I-V 特性測試時，支持同時操作兩臺吉時利源表，輕松完成三端口器件測試。此外，因為吉時利源表兼顧高精度和通用性，廣泛適用于教育、科研、產業等眾多行業。安泰測試作為泰克吉時利長期合作伙伴，為多家院校，研究所提供了I-V特性測試方案，并提供了吉時利源表現場演示，如果您也有相關應用，歡迎關注安泰測試網。

2023-02-01 14:56:12蔡司激光共聚焦顯微鏡-微納器件的表征分析: 對微納器件進行表征時，常關注的便是器件的表面形貌和三維尺寸信息，比如粗糙度、深度、體積等，這些都是評價微納加工工藝的重要指標。然而，在進行表面三維的分析工作中，我們可能常遇到這樣的苦惱：　　光學明場無法直接定位到亞微米級缺陷結構!　　樣品結構太復雜，微弱信號無法捕獲，難以準確測量尺度信息!　　三維接觸式測量經常會損傷柔軟樣品，導致測試結果不準確!　　今天，友碩小編將從下面幾個角度來看看蔡司激光共聚焦顯微鏡如何幫助你更好地解決這些問題。　　失效分析：多尺度多維度原位分析!　　器件表面往往存在一些特殊的結構或缺陷，比如亞微米尺度的劃痕，這些特征難以在光學明場下被直接觀察到。C-DIC(圓微分干涉)觀察模式可以讓樣品表面亞微米尺度的微小起伏都可以呈現出浮雕效果，幫助我們快速定位并開展下一步的分析工作。　　▲ 不同觀察方式下晶圓表面缺陷　　在定位到感興趣區域后，可以直接切換到共聚焦模式，進行表面三維形貌掃描，并進行尺寸測量及分析，無需轉移樣品即可完成樣品多尺度多維度的表征。　　▲共聚焦三維圖像及深度測量　　對于某些樣品，暗場和熒光模式也是一種很好定位方法，表面起伏的結構在暗場下尤其明顯，如藍寶石這類能發熒光的晶圓，利用熒光成像也能幫助我們快速地定位到失效結構。甚至，共聚焦還可以和電鏡或者雙束電鏡(FIB)(點擊查看)實現原位關聯，在共聚焦顯微鏡下進行定位后轉移樣品到電鏡下進行更高分辨的表征分析。　　深硅刻蝕：結構深，信號弱，蔡司激光共聚焦顯微鏡有辦法!　　深硅刻蝕的樣品通常為窄而深的溝壑結構。接觸式測量(如臺階儀)無法接觸到溝壑底部測得信息，而由于結構特殊造成了反射光信號損失，常規白光干涉或者顯微明場無法捕獲底面的微弱信號。因此，不得不對樣品進行裂片分析，這不僅破壞了樣品，而且還使分析流程復雜化。　　西湖大學張先鋒老師用蔡司激光共聚焦顯微鏡對深163.905 μm，寬3.734μm的刻蝕坑進行成像，高靈敏探測器、大功率激光及Z Brightness Correction技術可以幫助成功檢測到底部的微弱信號，完成大深寬比(近50：1)樣品的三維形貌表征與測量，輕松實現無損檢測分析。

2021-09-08 17:19:14PET瓶飲料瓶垂直載壓測試設備介紹: PET瓶頂壓強度差主要是由于瓶體的結構穩定性差、瓶體內部形成強負壓環境等原因造成，PET瓶頂壓強度不合格常見的表現形式有瓶體凹陷和變形，碼堆強度差、容易倒塌。實驗室中，PET瓶頂壓強度檢測用PET瓶垂直載壓測試儀，也稱為頂壓儀。這是是一款專業用于測試PET瓶垂直載壓的檢測設備，同時，還適用于飲料瓶、易拉罐的垂直載壓強度、頂壓變形、瓶體耐壓、側壓強度等性能測試。賽成自主研發的ZPY-G電子軸偏差測量儀適用于安瓿瓶圓跳動、西林瓶垂直軸偏差檢測。依據標準 YBB00332002-2015《低硼硅玻璃安瓿》等國家藥監局標準設計制造，是制藥企業、藥檢機構、食品行業不可或缺的儀器。產品特征7寸觸控彩色液晶屏，微電腦控制，自動分組統計較大值、較小值、平均值支持垂直度軸偏差和圓跳動兩種模式切換，一機兩用360°全角度補償測量偏差，確保測量數值更準確系統自帶微型打印機，上位機數據無限儲存專業電腦測控軟件，曲線圖顯示，數據保存，EXCEL統計軟件用戶分級權限管理，數據統計及審計功能，滿足醫藥行業GMP要求測試原理將瓶底加持固定在水平板的旋轉盤上，使瓶口與千分表接觸，旋轉360°讀取較大值和較小值，兩者之差的1/2即為垂直軸偏差數值。儀器巧妙利用了四爪自定心卡盤同心度高的特點，配合一套可以自由調節高度和方位的高自由度的支架，可以滿足各類玻璃瓶檢測。測試標準該儀器符合多項國家標準：GB/T 8452-2008、GB/T 2639、QB/T 2357、QB/T 1868、YBB00332002-2015、YBB00332003-2015、YBB00032004-2015技術指標儀器量程 0 ~ 12.7 mm/0.5″分度值 0.001 mm/0.00005″樣品直徑 5 mm ~ 190 mm可測高度 5 mm ~ 400 mm電動卡盤轉速 2 r/min測頭升降 300 mm/min（電動）環境要求環境溫度：15 ~ 50 ℃環境濕度：10 ~ 90%，無結露電　　源 AC 220 V 50 Hz外形尺寸 600mm(L) × 480mm(B) × 800mm(H)凈　　重 58 kg濟南賽成儀器一直致力于為大部分國家客戶提供高性價比的整體解決方案，公司的核心宗旨就是持續創新，打造高精尖檢測儀器，滿足行業內不同客戶的品控需求，期待與行業內的企事業單位增進交流和合作。賽成儀器，賽出品質，成就未來！

2022-12-05 13:11:13TOF-SIMS在光電器件研究中的應用系列之三: 一、引言光伏發電新能源技術對于實現碳中和目標具有重要意義。近年來，基于有機-無機雜化鈣鈦礦的光電太陽能電池器件取得了飛速的發展，目前報道的最高光電轉化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無限的組分調整空間，因此表現出優異的可調控的光電性質。然而，由于多組分的引入，鈣鈦礦材料生長過程中會出現多相競爭問題，導致薄膜初始組分分布不均一，這嚴重降低了器件效率和壽命。圖1. 鈣鈦礦晶體結構二、TOF-SIMS應用成果由于目前用于高性能太陽能電池的混合鹵化物過氧化物中的陽離子和陰離子的混合物經常發生元素和相分離，這限制了器件的壽命。對此，北京理工大學材料學院陳棋教授等人研究了二元（陽離子）系統鈣鈦礦薄膜(FA1-xCsxPbI3，FA：甲酰胺)，揭示了鈣鈦礦薄膜材料初始均一性對薄膜及器件穩定性的影響。研究發現，薄膜在納米尺度的不均一位點會在外界刺激下快速發展，導致更為嚴重的組分分布差異化（如圖2所示），最終形成熱力學穩定的物相分離，并貫穿整個鈣鈦礦薄膜，造成材料退化和器件失活。該研究成果以題為“Initializing Film Homogeneity to Retard Phase Segregation for Stable Perovskite Solar Cells”發表在Science期刊。[1]圖2. 二元 FAC 鈣鈦礦的降解機制。（A-H）鈣鈦礦薄膜的組分初始分布和在外界刺激下的演變行為。（I-N）熱力學驅動下，鈣鈦礦薄膜的物相分離現象的TOF-SIMS表征TOF-SIMS作為重要的表面分析方法，具有高檢測靈敏度（ppm-ppb）、高質量分辨率(M/DM>16000)和高空間分辨率(16000)和高空間分辨率(

2022-12-05 13:08:46TOF-SIMS在光電器件研究中的應用系列之二: PART 01 引言有機發光二極管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是基于多層有機薄膜結構的電致發光的器件，用作平面顯示器時具有輕薄、柔性、響應快、高對比度和低能耗等優點，有望成為新一代主流顯示技術。然而，高效率和長壽命依然是阻礙OLED發展的重要因素，因為有機材料易降解和器件界面結構不穩定從而導致OLED器件失效。在此背景下，迫切需要了解器件的退化機制，從而在合理設計和改進材料組合以及器件結構的基礎上，找到提高器件壽命的有效策略。圖1. 基于OLED柔性顯示器件 PART 02 TOF-SIMS表面分析方法研究有機/無機混合OLED器件的界面效應是提高其性能和運行穩定性的關鍵步驟。在眾多分析方法中，飛行時間二次離子質譜儀（Time of Flight-Secondary Ion Mass Spectrometer，TOF-SIMS）是表征有機層及其內部缺陷的有效分析工具。TOF-SIMS是由一次脈沖離子束轟擊樣品表面所產生的二次離子，經飛行時間質量分析器分析二次離子到達探測器的時間，從而得知樣品表面成份的分析技術，具有以下檢測優勢：（1）兼具高檢測靈敏度（ppmm-ppb）、高質量分辨率(M/DM>16000)和高空間分辨率(