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2025-06-23 14:50:33無掩模光刻: 無掩模光刻是一種先進的半導(dǎo)體制造技術(shù)，它無需傳統(tǒng)光刻工藝中的物理掩模，而是利用直接寫入的方式，將圖案精確地刻在硅片上。該技術(shù)通過高精度激光或電子束等直接對硅片表面進行曝光，實現(xiàn)圖案的快速、靈活制作。無掩模光刻具有分辨率高、制作周期短、成本低等優(yōu)勢，在微納加工、集成電路制造等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛應(yīng)用前景，特別是在定制化和小批量生產(chǎn)中更具優(yōu)勢。

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輕松掌握光刻工藝：后烘

后烘，顧名思義，是在光刻膠曝光后，對光刻膠膜進行烘烤的過程。這一過程的主要目的是通過加熱，使光刻膠中的化學(xué)反應(yīng)進一步進行，從而實現(xiàn)光刻膠的固化和圖案的清晰化。

托托科技（蘇州）有限公司 76
2025-05-26
無掩模光刻光刻工藝光刻機
輕松掌握光刻工藝：顯影

顯影技術(shù)不僅在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用，還廣泛應(yīng)用于我們的日常生活中。從印刷、影刷、復(fù)印到曬圖等行業(yè)，顯影技術(shù)都扮演著不可或缺的角色。它的發(fā)展不僅推動了科技的進步，也豐富了我們的生活方式。

托托科技（蘇州）有限公司 70
2025-05-26
無掩模光刻光刻工藝光刻機
輕松掌握光刻工藝：堅膜

堅膜是在光刻膠顯影后進行的烘烤工藝步驟，目的是通過熱交聯(lián)或其他方法，提高光刻膠的化學(xué)或物理穩(wěn)定性，使其在后續(xù)的物理或化學(xué)過程（如濕法或干法蝕刻、電鍍等）中具有更好的工藝穩(wěn)定性和效果。

托托科技（蘇州）有限公司 44
2025-05-26
無掩模光刻光刻工藝光刻機
輕松掌握光刻工藝：清洗與預(yù)處理

在高科技的璀璨星空中，光刻工藝以其精細入微的操作，扮演著制造精密芯片的關(guān)鍵角色。而在這復(fù)雜而精密的工藝中，清洗和預(yù)處理環(huán)節(jié)如同精心打磨的基石，承載著確保工藝質(zhì)量的重要使命。

托托科技（蘇州）有限公司 33
2025-05-26
光刻機光刻工藝無掩模光刻
“微蓮花，微祝福”| 無掩膜激光直寫光刻儀3D灰度曝光應(yīng)用

 Quantum Design中國子公司 941
2020-07-07
無掩模光刻激光直寫光刻儀

無掩模光刻產(chǎn)品

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無掩模光刻問答

2023-06-14 16:49:45無掩膜直寫光刻系統(tǒng)助力二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)電輸運性能研究，意大利: 期刊：ACS NanoIF：18.027文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】 MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發(fā)現(xiàn)，當(dāng)MoS2與石墨烯接觸會產(chǎn)生van der Waals作用，使之具有良好的電學(xué)特性，可廣泛應(yīng)用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)背后的電輸運機理尚不明確。這主要是因為傳統(tǒng)器件只有兩個接觸點，不能將MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電學(xué)輸運特性與二維材料自身的電學(xué)特性所區(qū)分。此外，電荷轉(zhuǎn)移、應(yīng)變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會對器件的電輸運性能產(chǎn)生影響，進一步提高了相關(guān)研究的難度。盡管已有很多文獻報道MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運性能，但這些研究主要基于理論計算，缺乏對MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運性能在場效應(yīng)器件中的實驗研究。【成果簡介】 2021年，意大利比薩大學(xué)Ciampalini教授課題組利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場效應(yīng)管器件，在場效應(yīng)管器件中直接測量了MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運特性。通過比較MoS2的跨導(dǎo)曲線和石墨烯的電流電壓特性，發(fā)現(xiàn)在n通道的跨導(dǎo)輸運被抑制，這一現(xiàn)象明顯不同于傳統(tǒng)對場效應(yīng)的認知。借助第一性原理計算發(fā)現(xiàn)這一獨特的輸運抑制現(xiàn)象與硫空位相關(guān)。本文中所使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3無需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設(shè)備采用集成化設(shè)計，全自動控制，可靠性高，操作簡便，同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：

2023-06-29 10:11:54無掩膜直寫光刻系統(tǒng)助力二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)電輸運性能研究，意大利科學(xué)家揭秘其機理！: 期刊：ACS NanoIF：18.027文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131引言MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發(fā)現(xiàn)，當(dāng)MoS2與石墨烯接觸會產(chǎn)生van der Waals作用，使之具有良好的電學(xué)特性，可廣泛應(yīng)用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)背后的電輸運機理尚不明確。這主要是因為傳統(tǒng)器件只有兩個接觸點，不能將MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電學(xué)輸運特性與二維材料自身的電學(xué)特性所區(qū)分。此外，電荷轉(zhuǎn)移、應(yīng)變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會對器件的電輸運性能產(chǎn)生影響，進一步提高了相關(guān)研究的難度。盡管已有很多文獻報道MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運性能，但這些研究主要基于理論計算，缺乏對MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運性能在場效應(yīng)器件中的實驗研究。成果簡介2021年，意大利比薩大學(xué)Ciampalini教授課題組利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場效應(yīng)管器件，在場效應(yīng)管器件中直接測量了MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運特性。通過比較MoS2的跨導(dǎo)曲線和石墨烯的電流電壓特性，發(fā)現(xiàn)在n通道的跨導(dǎo)輸運被抑制，這一現(xiàn)象明顯不同于傳統(tǒng)對場效應(yīng)的認知。借助第一性原理計算發(fā)現(xiàn)這一獨特的輸運抑制現(xiàn)象與硫空位相關(guān)。本文中所使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3無需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設(shè)備采用集成化設(shè)計，全自動控制，可靠性高，操作簡便，同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：

2021-11-29 11:06:02Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭: Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭，大口本生(天津)健康科技有限公司：http://www.bunsen17.com/ 本生生物供應(yīng)：光度計，檢測儀，免疫儀，全系熒光定量PCR耗材，移液器，鉆石吸嘴，離心管，凍存管，培養(yǎng)皿，培養(yǎng)板，培養(yǎng)瓶，吸頭，儀器及手套，色譜耗材，針頭過濾器。產(chǎn)品名稱：Tip 10000ul吸嘴，無色，無DNA酶無RNA酶無熱源，袋裝非滅菌，大口產(chǎn)品規(guī)格：100支/包，10包/箱（1000支/箱）CG編號產(chǎn)品描述包裝規(guī)格通用型移液器吸嘴，BASIX加長吸嘴23-2033 Tip 10000ul吸嘴，無色，無DNA酶無RNA酶無熱源，袋裝非滅菌，大口 100支/包，10包/箱（1000支/箱）Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭適應(yīng)客戶：醫(yī)院檢驗科PCR實驗室，實驗室；第三方檢測機構(gòu)，科研院所，大專院校，制藥廠，試劑生產(chǎn)廠家，疾控，檢驗檢疫。

2019-10-18 10:47:51小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）: 小型臺式無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）是英國Durham Magneto Optics公司專為實驗室設(shè)計開發(fā)，為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便GX的微加工方案。傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)環(huán)境中，掩膜板的設(shè)計通常需要經(jīng)常改變。無掩膜光刻技術(shù)通過以軟件設(shè)計電子掩膜板的方法，克服了這一問題。與通過物理掩膜板進行光照的傳統(tǒng)工藝不同，激光直寫是通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關(guān)，經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：圖8. CsPbBr3 PNC/monolayer MoS2異質(zhì)結(jié)光電器件的制備流程，紅色框所示為利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）所制備電極結(jié)構(gòu)示意圖9. （左）利用MicroWriter制備的MoS2基器件的I-V特性曲線，其中所示單層MoS2形貌及表面電極；（右）MicroWriter虛擬掩膜功能（VMA）結(jié)果示意