主要功能：
利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結構（最小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件，光子晶體，低維半導體等前沿領域。

技術指標：
肖特基熱場發射電子源
加速電壓：100V～30kV
放大倍率：12X～1000,000X
SEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）
電子束曝光：10nm（20kV）
場拼接精度：<100nm
掃描頻率：6MHz
?圖形格式：GDSII