因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計(jì), 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時(shí), 離子源配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達(dá)到 400 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)
陽極 | 電感耦合等離子體 |
最/大陽極功率 | 600W |
最/大離子束流 | > 300mA |
電壓范圍 | 100-1200V |
離子束動(dòng)能 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-20 sccm |
壓力 | < 0.5mTorr |
離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn) | OptiBeamTM |
離子束柵極 | 10cm Φ |
柵極材質(zhì) | 鉬, 石墨 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 23.5 cm |
直徑 | 19.1 cm |
鎖緊安裝法蘭 | 10”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 超高真空離子刻蝕機(jī) IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專/利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅先生 臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
報(bào)價(jià):面議
已咨詢843次KRI 考夫曼離子源
報(bào)價(jià):面議
已咨詢301次KRI 考夫曼離子源
報(bào)價(jià):面議
已咨詢364次KRI 考夫曼離子源
報(bào)價(jià):面議
已咨詢279次KRI 考夫曼離子源
報(bào)價(jià):面議
已咨詢436次KRI 考夫曼離子源
報(bào)價(jià):面議
已咨詢349次KRI 考夫曼離子源
報(bào)價(jià):面議
已咨詢652次KRI 考夫曼離子源
報(bào)價(jià):面議
已咨詢906次KRI 考夫曼離子源
潤滑油
伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的離子蝕刻機(jī), 一般通氬氣 Ar, 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
Aston? 特性 實(shí)時(shí)過程控制的通用工具, 耐腐蝕性氣體, 抗冷凝 半導(dǎo)體制造的分子分析原位平臺(tái), 提供實(shí)時(shí), 可操作的數(shù)據(jù) 采用等離子體電離源, 無燈絲, 更耐用 可與大批量生產(chǎn)工具完全集成 Aston? 作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái), 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供前所未有的控制水平, 包括光刻, 電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.
氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340 優(yōu)點(diǎn) 1. 前級(jí)泵配備旋片泵(油泵)Adixen Pascal 1015 I 抽速高達(dá)15 m3/h 2. 分流式分子泵 Pfeiffer Splitflow 50 對(duì)氦氣抽速 2.5 l/s 3. 氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340 對(duì)氦氣的Z小檢測漏率: 真空模式: 5E-13 Pa m3/s 吸槍模式: 5E-10 Pa m3/s 目前業(yè)界公認(rèn)Z小漏律 4. 移動(dòng)式操作面板(有線, 無線) 5. 集成 SD卡, 方便資料處理 6. 抗破大氣, 抗震動(dòng), 降低由操作失誤帶來的風(fēng)險(xiǎn)性 7. 豐富的可選配件, 如吸槍, 遙控器, 小推車, 旁路裝置, 標(biāo)準(zhǔn)漏孔等 8. 檢測時(shí)間短
氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 390, ASM 392 優(yōu)勢: 1. 強(qiáng)大的抽空能力 2. 極短的測試時(shí)間, 3. 大尺寸彩色觸摸屏, 無需任何工具即可完全旋轉(zhuǎn)和拆卸 4. 符合人體工學(xué)設(shè)計(jì), 移動(dòng)性強(qiáng) 5. 通過 CE 認(rèn)證, ETL 認(rèn)證, UL61010 合規(guī), 完全符合 Semi S2 標(biāo)準(zhǔn) 6. 可用于半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)和平板顯示器行業(yè)以及其他要求極高的應(yīng)用