離子刻蝕機
ETD-100AF 熱蒸發鍍膜機
離子刻蝕機 VITA反應離子刻蝕機（垂直腔室）
AP-MTE1小型熱蒸發鍍膜機
成都真空設備廠家 research熱蒸發/磁控濺射 多靶復合磁控濺射鍍膜機 離子刻蝕機功能 可定制
因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
伯東公司日本原裝設計制造離子蝕刻機 IBE. 提供微米級刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, 伯東公司已累計交付約 500套離子刻蝕機.
伯東公司超過 50年的刻蝕 IBE 市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
離子刻蝕機 4IBE 離子刻蝕機 20IBE 全自動蝕刻機 MEL 3100
離子蝕刻機 IBE 主要型號
伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機, 用于生產制造的大尺寸離子蝕刻機以及全自動蝕刻機.
配置美國 KRI 考夫曼離子源和德國 Pfeiffer 分子泵.
型號 | 4 IBE | 7.5 IBE | 16 IBE | 20 IBE-C | MEL 3100 |
樣品數量尺寸 | 4”φ, 1片 | 4”φ, 1片 | 6”φ, 1片 | 4”φ, 6片 | 3”φ-6”φ,1片 |
離子束入射角度 | 0～± 90 | 0～± 90 | 0～± 90 | 0～± 90 | - |
考夫曼離子源 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 160 | 考夫曼型 | - |
極限真空度 Pa | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦8x10-5 |
Pfeiffer 分子泵抽速 l/s | 350 | 350 | 1250 | 1250 | - |
均勻性 | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% |
離子蝕刻機特性:
1. 采用美國 KRI 考夫曼型離子源, 保障蝕刻速率和均勻性
2. 干式制程, 物理蝕刻的特性
3. 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
5. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面.
通 Ar 時, 對各種材料的刻蝕速率
NS 離子刻蝕機 20IBE-J 視頻
離子刻蝕機 3-4inch 20IBE 視頻
離子蝕刻機應用
薄膜磁頭 Thin film Magnetic Head, 自旋電子學 Spintronics, MR Sencer
微電子機械系統 MEMS Micro-electromechanical Systems
射頻設備 RF Devices, 光學組件 Optical Component, 超導電性 Super Conductivity
Hakuto 日本原裝設計制造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
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上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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伯東公司日本原裝設計制造離子蝕刻機 IBE. 提供微米級刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
伯東公司日本原裝進口小型離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
伯東公司日本原裝進口小型離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
上海伯東日本原裝進口適合小規模量產使用和實驗室研究的離子蝕刻機, 一般通氬氣 Ar, 內部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產生轟擊離子; 終點檢出器采用 Pfeiffer 殘余質譜監測當前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
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營業執照已審核
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滬公網安備 31011502008050號