四探針電阻率測試儀（單電）設置完畢后按“確定”鍵返回。接線方式，把主機與夾具連接線，連接好并固定住，取試樣，試樣試驗前的處理依據標準進行，把樣品放于固定治具夾口內，把HD和LD接口分別與治具接口連接（不分順序）如圖3；另外兩個接口與探頭接線位置連接，后，放入被測樣品，輸入高度數據（為探針之間的間距），其他數據為樣品本身尺寸。試樣固定住后，加壓探頭探針至被測樣品表面，帶數據穩定后讀數. 按下“放大”鍵對應的按鍵可以對當前界面的測量數據進行放大待參數設置完畢，開始測量，把測試獲得的數據寫入試驗報告中以下設置和功能屬于配置操作軟件機型使用，如您購買的無電腦操作軟件的話，請勿設置.接口：可選擇“USB”和“232”兩種模式。根據用戶使用的接口類型進行選擇。測試功能：可選擇：“RρK”（顯示電阻，電阻率，電導率），“R”（只顯示電阻），“ρ”（只顯示電阻率，“K”（只顯示電導率）3種顯示模式。

四探針電阻率測試儀（單電）維護和保養使用者的維護為了防止意外發生，請不要接觸機內部件。本機器內部所有的零件，不需使用者的維護。如果機器有異常情況發生，請直接與北廣儀器公司廠家聯系或其指定的經銷商給予維護。使用者的修改使用者不得自行更改機器的線路或零件，如被更改機器后保修則自動失效并且本公司不負任何事故責任。在保修內使用未經我公司認可的零件或附件造成故障也不予保證。如發現送回檢修的機器被更改，將機器的電路和零件修復回原來設計的狀態，并收取修護費用。測試工作站工作位置工作站的位置選擇必須安排在一般人員非必經的處所，使非工作人員選離工作站。如果因為條件限制的安排而無法做到時，必須將工作站與其這它設施隔開并且特別標明“測試工作站”。如果工作站與其它作業站非常接近時，必須特別注意安全的問題。在測試時必須標明“測試執行中，非工作人員請勿靠近” 

輸入電源輸入：220V±10%  使用頻率：50Hz工作場所盡可能使用非導電的工作桌工作臺。操作人員和待測物之間不得使用任何金屬。操作人員的位置不得有跨越待測物去操作或調整測試儀器的現象。測試場所必須隨時保持整齊、干凈，不得雜亂無章。測試站及其周邊之空氣中不能含有可燃氣體或在易燃物質。

人員資格

本儀器為精密儀器，必須由訓練合格的人員使用和操作。

安全守則

操作人員必須隨時給予教育和訓練，使其了解各種操作規則的重要性，并依安全規則操作。

衣著規定操作人員不可穿有金屬裝飾的衣服或戴金屬手飾和手表等，這些金屬飾物很容易造成意外的感電。

醫學規定不能讓有心臟病或配戴心律調整器的人員操作。

測試安全程序規定一定要按照規定程序操作。操作人員必須確定能夠完全自主掌控各部位的控制開關和功能。

安全要點合格的操作人員和不相關的人員應遠離測試區。萬一發生問題，請立即關閉電源并及時處理故障原因。

儀器安裝要點安裝簡介本章主要介紹產品的拆封、檢查、使用前的準備等的規則。拆封和檢查產品是包裝在一個使用木箱泡綿保護的包裝箱內，如果收到時的包裝箱有破損，請檢查機器的外觀是否有無變形、刮傷、或面板損壞等。如果有損壞，請立即通知制造廠或其經銷商。并請保留包裝箱和泡綿，以便了解發生的原因。我們的服務中心會幫您解決。在未通知制造廠或其經銷商前，請勿立即退回產品。使用前的準備 輸入電壓輸入220V，有穩定的電流和電壓環境

使用的周圍環境條件

。易燃易爆空氣環境            。不穩定的工作臺面.

。陽光直射的地方.             。潮濕的地方.

。腐蝕性的空氣環境.           。空氣污染灰塵重.

儲存和運輸周圍環境儀器可以在下列的條件下儲存和運輸：

周圍溫度……………………………………10°到60°C

高度………………………………………………7620公尺（25000英尺）

本機必須避免溫度的急劇變化，溫度急劇變化可能會使水氣凝結于機體內部。

導體材料電阻率測試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。以下文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。但凡注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括訂正的內容)或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本適用于本標準。GB/T 1552硅、儲單晶電阻率測定直排四探針法樣品臺和操針架樣品臺和探針架應符合GB/T152 中的規定。樣品臺上應具有旋轉360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，范圍本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量準確度尚未評估。使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測量兩內操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關的修正因子，計算出薄層電阻。覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出；選配：PC軟件進行數據管理和處理.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出；選配：PC軟件進行數據管理和處理.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

概述：采用四端測量法適用于生產企業、高等院校、科研部門，實驗室；是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的工具。可配置不同測量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補償功能，自動量程，自動測量電阻，電阻率，電導率數據。恒流源輸出；選配：PC軟件過程數據處理和標準電阻校準儀器，薄膜按鍵操作簡單，中文或英文兩種語言界面選擇，電位差計和電流計或數字電壓表，量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應符合GB/T 552 中的規定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規定的幾何修正因子。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4)。對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-雙刀雙撐電位選擇開關。.定。歐嬌表，能指示阻值高達10°日的漏電阻，溫度針0℃-40℃，小刻度為0.1℃。光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環境會影響測試結果，甲醇、99.5%，干燥氮氣。測量儀器探針系統操針為具有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)電壓表輸入阻抗會引入測試誤差，硅片幾何形狀，表面粘污等會影響測試結果，R(TD-R_xF式中:計算每一測量位置的平均電阻R.，見式(3).試劑優級純，純水，25℃時電阻率大于2MN.cm,s=號(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據薄層電阻計算出對應的電阻率并修正到23℃，具體見表4)見式(5).用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置的時間應足夠長