高真空濺射可用于金屬、半導體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備,且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點,可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。
1、真空度高。
2、可制備多種薄膜,金屬、半導體、絕緣體等,應用廣泛。
3、體積小,操作簡便。
4、清理安裝便捷。
5、控制可選一體化觸摸屏控制
產品名稱 | GSL-CKJS-450-B1磁控濺射 | |
安裝條件 | 本設備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:設備配有自循環冷卻水機(加注純凈水或者去離子水) 2、電:AC380V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設備腔室內需充注氮/氬氣(純度99.99%以上),需自備實驗氣體氣瓶(自帶?10mm雙卡套接頭)及減壓閥 4、場地:設備尺寸3500×1600mm,承重1000kg以上 5、通風裝置:需要 | |
主要參數 | 1、主濺射室尺寸:?450×355mm筒形真空室 2、主濺射室真空度:5×10-5Pa 3、永磁靶3套,靶材尺寸φ2″,各靶射頻與直流濺射兼容(其中1個靶可濺射鐵磁材料),靶與樣品距離90-110mm可調 4、三靶共濺,三個靶可共同折向樣品中心,距離40-80mm可調 5、基片加熱與水冷獨立工作,加熱爐可與水冷樣品臺可互換,加熱工位ZG溫度 600℃±1℃ 6、樣品尺寸:φ1″ 7、樣品臺可連續回轉,轉速5-15轉/分 8、基片可加-200V負偏壓 9、公轉6工位樣品臺,可一次性安裝6片φ1″基片, 拆下水冷加熱樣品臺可換上6工位樣品臺,其中5個工位為自然冷卻工位,1個加熱工位,加熱工位溫度 600℃±1℃ | |
產品規格 | 整機尺寸:1500×900mm×2000mm; | |
標準配件 | 1、電源控制系統1套 2、真空獲得系統1套 3、真空測量裝置1套 |
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