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2025-01-10 17:03:44藍光鈣鈦礦
藍光鈣鈦礦是一種具有優異光電性能的新型半導體材料,其結構穩定、發光效率高,在LED照明、顯示技術以及激光器件等領域展現出巨大應用潛力。通過調控其組分和結構,可以實現藍光發射,這對于提高顯示器件的色彩純度和亮度至關重要。藍光鈣鈦礦的研究不僅推動了半導體材料科學的發展,也為下一代顯示與照明技術的革新提供了重要支撐。

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2025-05-08 14:30:21熒光顯微鏡藍光怎么設置
熒光顯微鏡藍光設置是顯微鏡操作中的一個關鍵步驟,對于保證圖像質量和實驗結果的準確性至關重要。正確的藍光設置不僅能夠提高熒光信號的強度,還能有效避免背景干擾,從而確保觀察到清晰、的熒光圖像。本文將詳細介紹如何正確設置熒光顯微鏡中的藍光,以幫助用戶優化實驗過程中的光源設置,提升成像效果。了解這些基本操作技巧和設置方法,可以幫助科研人員在熒光顯微鏡的應用中獲得佳的觀察體驗。 了解熒光顯微鏡藍光的基礎知識至關重要。熒光顯微鏡通過特定波長的激發光源照射樣品,使樣品中的熒光染料發光。不同的熒光染料在特定的激發光波長下能產生不同的發光波長,而藍光作為常見的激發光源,通常用于激發綠色或黃色熒光。為了確保實驗的高效性,正確的藍光設置可以減少光源的損失,同時提高熒光信號的對比度和清晰度。 在設置藍光時,首先需要確認熒光顯微鏡的光源類型及其波長范圍。一般來說,藍光的波長范圍大約在450到495納米之間。為了得到佳的激發效果,可以選擇合適的藍光激發濾光片,確保其能夠精確地通過藍光波長激發熒光染料。而濾光片的選擇則需要與樣品的熒光特性相匹配,以免出現光譜重疊或過度激發,影響成像質量。 合理調整光強是另一個關鍵步驟。過強的藍光會導致熒光過度激發,進而產生背景干擾,影響信號的分辨率。相反,光強過弱則可能導致熒光信號不夠顯著。通過合適的光強調節,能夠確保熒光信號清晰且不失真。使用熒光顯微鏡時,光源的穩定性同樣非常重要,避免頻繁調整藍光強度,以確保實驗過程中的一致性。 熒光顯微鏡的成像效果與光路系統的設置密切相關。除了藍光的調整外,鏡頭的選擇和光學系統的對焦同樣不可忽視。正確的焦距和清晰的成像效果對于獲得高質量的圖像至關重要。 熒光顯微鏡藍光的設置不僅涉及光源選擇和光強調節,還需要精細的操作和調整,以確保圖像質量和實驗的準確性。通過合理的設置和操作,用戶能夠大程度地提升熒光成像效果,為科研實驗提供可靠的數據支持。
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2023-07-21 10:25:31ALD在鈣鈦礦方面的應用
    “碳達峰”和“碳中和”一直都是能源領域的熱點話題,作為助力“雙碳”戰略的生力軍,光伏產業具有舉足輕重的地位。目前光伏的主力是硅太陽能電池,它們具有效率高、穩定性好、產業鏈完備、使用壽命長的優勢。然而,晶硅電池的轉換效率到達瓶頸,且從硅料到組件至少經過4 道工序,單位制程需要3 天以上,同時還需要大量人力、運輸成本等。為了讓太陽能的利用更加便捷、高效且廉價,科學界和工業界正在研制新型太陽能電池;鈣鈦礦太陽能電池就是備受關注的后起之秀,鈣鈦礦疊層效率極限可達50%,而鈣鈦礦組件在單一工廠完成生產,原材料經過加工后直接成組件,沒有傳統的“電池片”工序,大大縮短制程耗時。但是,如何制備大面積且能保持較高效率的鈣鈦礦太陽能電池,依然是難題,也成了制約其產業化應用的瓶頸。       原速ALD在鈣鈦礦電子傳輸層、空穴傳輸層、鈍化層、封裝阻水層等領域已取得了突破性進展,獲得了業界的認可。為了更高效地服務于世界光伏產業高地,原速也在上海建立了技術研發中心。截止目前,公司已形成服務于鈣鈦礦電池研發、中試、100MW、 GW級量產的產線ALD技術解決方案。1、ALD-SnO2 應用于鈣鈦礦電池電子傳輸層 ? ALD 相比于傳統沉積技術,在制備超薄膜時具有更優異的均勻性和保形性,以及缺陷更少的優點 2、ALD-NiO 應用于鈣鈦礦電池空穴傳輸層 ? ALD 可用于制備性能優異的超薄(
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2023-07-25 10:40:14半導體和鈣鈦礦材料的高光譜(顯微)成像
目前在光伏業界,正在進行一項重大努力,以提高光伏和發光應用中所用半導體的效率并降低相關成本。這就需要探索和開發新的制造和合成方法,以獲得更均勻、缺陷更少的材料。無論是電致還是光致發光,都是實現這一目標的重要工具。通過發光可以深入了解薄膜內部發生的重組過程, 而無需通過對完整器件的多層電荷提取來解決復雜問題。HERA高光譜照相機是繪制半導體光譜成像的理想設備,因為它能夠快速、定量地繪制半導體發射光譜圖,且具有高空間分辨率和高光譜分辨率的特性。硅太陽能電池的電致發光光譜成像光伏設備中的缺陷會導致光伏產生的載流子發生重組,阻礙其提取并降低電池效率。電致發光光譜成像可以揭示這些有害缺陷的位置和性質。"反向"驅動太陽能電池(即施加電流)會產生電致發光,因為載流子在電極上被注入并在有源層中重新結合。在理想的電池中,所有載流子都會發生帶間重組,這在硅中會產生1100 nm附近的光(效率非常低)。然而,晶體結構中的缺陷會產生其他不利的重組途徑。雖然這些過程通常被稱為"非輻射"重組,但偶爾也會產生光子,其能量通常低于帶間發射。捕獲這些非常罕見的光子可以了解缺陷的能量和分布。在本實驗中,我們使用了HERA SWIR (900-1700 nm),它非常適合測量硅發光衰減。測量裝置如圖1所示:HERA安裝在三腳架上,在太陽能電池上方,連接到一個10A的電源。640×512像素的傳感器安裝在樣品上方75厘米處,空間分辨率約為250微米。圖1. 實驗裝置最重要的是,HERA光學系統沒有輸入狹縫,因此光通量非常高,是測量極微弱光發射的理想選擇。圖2.A和2.B顯示了兩個波長的電致發光(EL)圖像:1150 nm(帶間發射)和1600 nm(缺陷發射),這是4次掃描的平均值(總采集時間:5分鐘)。通過分析這些圖像,我們可以看到,盡管缺陷區域的亮度遠低于主發射區域,但它們仍被清晰地分辨出來。此外,具有強缺陷發射的區域的帶間發射相對較弱。我們可以注意到有幾個區域在兩個波長下都是很暗的;這可能是由于樣品在運輸過程中損壞了電池造成的。圖2.C中以對數標尺顯示了小方塊感興趣區域(圖2A和2B中所示)的光譜。圖 2.A 和 B:兩個選定波長(1150 nm 和 1600 nm)的電致發光(EL)圖像。C:A和B中三個不同區域對應的電致發光光譜(圖像中的彩色方框)。金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜的光致發光顯微研究通過旋涂等技術含量低、成本效益高的方法,可以制造出非常高效的太陽能電池和LED。這些方法面臨的一個挑戰是在微觀長度的尺度上保持均勻的成分。光致發光顯微鏡是表征這種不均勻性的一個特別強大的工具。HERA高光譜相機可以連接到任何顯微鏡(正置或倒置)的c-mount相機端口,并直接開始采集高光譜數據,無需任何校準程序。圖3. 與尼康LV100直立顯微鏡連接的HERA VIS-NIR。在本實驗中,我們使用HERA VIS-NIR(400-1000 nm)耦合到尼康LV100直立顯微鏡(圖3)來表征兩種鹵化物前驅體合金的帶隙分布。將兩種鹵化物前驅體合金化的優點是能夠調整材料的帶隙;然而,這兩種成分經常會發生逆混合,從而導致性能損失。本實驗的目的是檢測這種逆混合現象:事實上,混合比的局部變化會改變局部帶隙,從而導致發射不同能量的光子。在這種配置中,激發光來自汞燈,通過帶通濾光片在350 nm處進行濾光,并通過發射路徑上的二向色鏡將其從相機中濾除。HERA的高通量使其能夠在大約1分鐘的測量時間內收集完整的數據立方體(130萬個光譜)。圖4.樣品的光譜綜合強度圖(A:全尺寸;B:放大)。圖4.A和4.B分別顯示了所有波長(400-1000 nm)總集成信號的全尺寸和放大圖像,揭示了長度尺度在1 μm左右的明亮特征。當我們比較亮區和暗區的光譜時(圖5.B中的黑色和紅色曲線),我們發現暗區實際上也有發射, 不僅強度較低,而且波長中心比亮區短。事實上,光譜具有雙峰形狀,很可能與逆混合前驅體的發射相對應。圖5.A的發射圖清楚地顯示了帶隙的這種變化。我們現在可以理解為什么低帶隙區域看起來更亮了--載流子可能從高帶隙區域弛豫到那里,并且在發生輻射重組之前無法返回。圖5.A:顯示平均發射波長的強度圖。B:亮區和暗區的發射光譜(正?;?。東隆科技作為NIREOS國內總代理公司,在技術、服務、價格上都具有優勢。如果您有任何產品相關的問題,歡迎隨時來電垂詢,我們將為您提供專業的技術支持與產品服務。
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2023-08-18 11:29:42用戶前沿丨楊培東 Nature-鈣鈦礦高熵半導體
盡管高熵材料 high-entropy materials是一系列功能材料的極 佳候選者,但其形成通常需要超過1,000°C高溫合成程序,以及復雜加工技術,如熱軋。解決高熵材料極端合成要求的途徑之一,應該包括設計具有離子鍵網絡和低內聚能的晶體結構。今日,美國 加利福尼亞大學伯克利分校 (University of California, Berkeley) Maria C. Folgueras, Yuxin Jiang,Jianbo Jin & 楊培東Peidong Yang,在Nature上發文,報道開發了一種新型金屬鹵化物鈣鈦礦高熵半導體high-entropy semiconductor,HES單晶的室溫溶液20°C和低溫溶液80°C合成方法因為金屬鹵化物鈣鈦礦的軟離子晶格性質,這些高熵半導體HES單晶設計在立方Cs2MCl6(M=Zr4+, Sn4+, Te4+, Hf4+, Re4+, Os4+, Ir4+ 或 Pt4+)空位有序的雙鈣鈦礦結構上,該雙鈣鈦礦結構來自穩定絡合物在多元素墨水中的自組裝,即在強鹽酸中充分混合的游離Cs+ 陽離子和五或六個不同[MCl6]2–陰離子八面體分子。所得到的單相單晶跨越五和六個元素的兩個高熵半導體HES族,以接近等摩爾比例作為無規合金near-equimolar ratios占據M位,并保持整體Cs2MCl6晶體結構和化學計量。在高熵5-和6-元素Cs2MCl6單晶中,各種[MCl6]2-八面體分子軌道的無序結合產生了復雜的振動和電子結構,在5或6個不同孤立八面體分子的受限激子態之間,具有能量轉移相互作用。High-entropy halide perovskite single crystals stabilized by mild chemistry. 基于溫和化學,穩定高熵化鹵化物鈣鈦礦單晶圖1:高熵五和六元Cs2MX6單晶的合成設計。圖2:五和六元高熵鈣鈦礦單晶的相鑒定。圖3:高熵鈣鈦礦單晶的元素分析,以確認在M位點上結合了五或六種元素。圖4:在高熵鈣鈦礦單晶中,M位金屬中心絕 對構型的高分辨結構測定。圖5:確認五或六個不同[MCl6]2-八面體復合物的無序性質貫穿單相高熵鈣鈦礦系統,沒有微結構晶粒形成。圖6:高熵鈣鈦礦單晶的光電行為。文獻鏈接Folgueras, M.C., Jiang, Y., Jin, J. et al. High-entropy halide perovskite single crystals stabilized by mild chemistry. Nature (2023). https://doi.org/10.1038/s41586-023-06396-8https://www.nature.com/articles/s41586-023-06396-8本文譯自Nature。來源:今日新材料聲明:僅代表譯者個人觀點,小編水平有限,如有不當之處,請在下方留言指正!儀器推薦愛丁堡儀器穩態瞬態熒光光譜儀FS5加州大學伯克利分校楊培東教授團隊開發了一種新型金屬鹵化物鈣鈦礦高熵半導體溶液合成方法,研究中使用愛丁堡穩態瞬態熒光光譜儀FS5,通過光致發光的激發(PLE)光譜,闡明了五元素ZrSnTeHfPt 單晶中的能量轉移現象。愛丁堡穩態瞬態熒光光譜儀FS5標配自動濾光片輪,可自動獲取完整的三維熒光光譜,去除瑞利散射的影響,因此可進一步的通過激發光譜研究物質的能量轉移過程。天美分析更多資訊
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2022-12-07 12:22:57用戶成果賞析I Science:鈣鈦礦太陽能電池穩定性研究
一、用戶簡介北京理工大學材料學院作為國家首批博士學位授權點和首批博士后流動站,主要致力于在燃燒、爆轟、超高速、超高溫等極端條件下面向裝備服役的先進特種材料的研究,同時促進新材料的軍民融合應用與協同發展,在國防/民用的新能源、阻燃、光電信息等新材料前沿研究方面不斷強化。[1]為對各類功能材料進行全面表征和深入研究,材料學院于2018年建立了先進材料實驗中心,配備了飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS,PHI Nano TOF II)、掃描微聚焦式X射線光電子能譜儀(XPS,PHI Quantera II和PHI Versaprobe III)、高分辨冷場發射掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、多功能X射線衍射儀(XRD)、電感耦合等離子體質譜儀(ICP-MS)、液體及固體核磁共振波譜儀(NMR)等近40臺(套)先進的分析測試儀器設備,將實驗中心打造成國際一 流的先進材料研究平臺,大力推動了學院在鋰離子電池能源材料、鈣鈦礦發光材料、光伏材料、阻燃材料等的研究進展。[2]二、用戶成果賞析光伏發電新能源技術對于實現碳中和目標具有重要意義。近年來,基于有機-無機雜化鈣鈦礦的光電太陽能電池器件取得了飛速的發展,目前報道的最 高光電轉化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無限的組分調整空間,因此表現出優異的可調控的光電性質。然而,由于多組分的引入,鈣鈦礦材料生長過程中會出現多相競爭問題,導致薄膜初始組分分布不均一,這嚴重降低器件效率和壽命。圖1. 鈣鈦礦晶體結構由于目前用于高性能太陽能電池的混合鹵化物過氧化物中的陽離子和陰離子的混合物經常發生元素和相分離,這限制了器件的壽命。對此,北京理工大學材料學院陳棋教授等人研究了二元(陽離子)系統鈣鈦礦薄膜(FA1-xCsxPbI3,FA:甲酰胺),揭示了鈣鈦礦薄膜材料初始均一性對薄膜及器件穩定性的影響。研究發現,薄膜在納米尺度的不均一位點會在外界刺激下快速發展,導致更為嚴重的組分分布差異化(如圖2所示),最 終形成熱力學穩定的物相分離,并貫穿整個鈣鈦礦薄膜,造成材料退化和器件失活。該研究成果以題為“Initializing Film Homogeneity to Retard Phase Segregation for Stable Perovskite Solar Cells”發表在Science期刊。[3]圖2. 二元 FAC 鈣鈦礦的降解機制。(A-H)鈣鈦礦薄膜的組分初始分布和在外界刺激下的演變行為。(I-N)熱力學驅動下,鈣鈦礦薄膜的物相分離現象的TOF-SIMS表征TOF-SIMS作為重要的表面分析方法,具有高檢測靈敏度(ppm-ppb)、高質量分辨率(M/DM>16000)和高空間分辨率(16000)和高空間分辨率(
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