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2025-01-10 10:49:38半導體封裝材料: 半導體封裝材料是指用于半導體器件封裝過程中的一系列材料，主要包括金屬、陶瓷、塑料及玻璃等。金屬材料如銅、鋁等用于制作引線框架和散熱片；陶瓷材料因其良好的絕緣性和熱穩定性，常用于高性能封裝；塑料封裝材料則以環氧樹脂為主，因其成本低、加工性能好而廣泛應用；玻璃材料則主要用于封裝過程中的密封和保護。這些材料的選擇直接影響半導體器件的性能、可靠性和成本，是半導體封裝技術中不可或缺的關鍵要素。

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半導體封裝材料高溫絕緣電阻測試系統

半導體封裝材料高溫絕緣電阻測試系統的特點以及技術參數等

 北方華測（蘇州）測控技術有限公司 63
2024-12-10
半導體封裝材料高溫絕緣電阻測試系統半導體封裝材料高溫絕緣電阻測試系統
半導體封裝材料TSDC

又名（熱釋電系數測試儀），設備支持測試電壓10kV，采用冷熱臺的方式進行加溫與制冷，測量引用使用低噪聲線纜，減少測試導線的影響，同時電極加熱采用直流電極加熱方式，減少電網諧波對測量儀表的干擾。

北方華測（蘇州）測控技術有限公司 31
2024-11-18
半導體封裝材料TSDC TSDC熱刺激電流測試儀熱釋電系數測試儀
半導體封裝材料高溫絕緣電阻測試系統原理？

半導體封裝材料高溫絕緣電阻測試系統，運用原理是三電極法設計原理測量。

北京華測試驗儀器有限公司 53
2024-12-04
高溫絕緣電阻環氧塑封料（EMC）性能評估半導體封裝材料
絕緣診斷測試系統

FDS 2000絕緣診斷分析儀是基于電介質介電響應理論，集介電響應測試與絕緣狀態評估及診斷一體的綜合絕緣分析系統。該儀器的測試頻率范圍為mHz-1kHz，且在低頻范圍內可以選擇快測試方式。

北方華測（蘇州）測控技術有限公司 29
2024-11-28
絕緣診斷測試系統半導體封裝材料絕緣系統狀態評估與診斷

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半導體封裝材料問答

2024-05-18 19:23:47半導體封裝推拉力機，WB剪切力測試，芯片線弧: 半導體封裝推拉力機，WB剪切力測試，芯片線弧供應商:深圳市尖端精密科技有限公司手機號:15989477601聯系人:吳生所在地:深圳市龍華新區龍華街道上油松尚游詳細介紹: 半導體封裝金線，銅線，合金線鋁線線弧高度測試儀ic線弧高度測試儀，芯片線弧高度測試，led線弧高度測試，wb線弧高度測試公差正負1um 半導體封裝金線，銅線，合,IC線弧高度,芯片線弧高度,WB線弧高度測試,LED線弧高度測試

2023-07-08 15:42:40真空高低溫探針臺用于傳感器半導體光電集成電路以及封裝的測試: 型號 KT-0904T-RL 加熱制冷 KT-0904T 不帶加熱制冷 KT-0904T-R 加熱類型加熱型 400℃ 加熱制冷型室溫到-190℃-350℃ 低溫型：室溫到-190℃ 腔體材質 304 不銹鋼腔體內尺寸 φ90x40mm 腔體上視窗尺寸 Φ42mm（選配凹視窗Φ22mm）腔體抽氣口 KF16 腔體進氣口公制 3mm 6mm 氣管接頭英制 1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選腔體出氣口公制 3mm 6mm 氣管接頭英制 1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選腔體正壓 ≤0.05MPa 腔體真空度機械泵≤5Pa （5 分鐘）分子泵≤5E-3Pa（30 分鐘）樣品臺樣品臺材質 304 不銹鋼樣品臺尺寸 26X26mm 樣品臺-視窗距離 30mm（可選凹視窗間距 15mm）樣品臺測溫傳感器 A 級 PT100 鉑電阻樣品臺溫度室溫到 350℃（可選高低溫樣品臺高溫 350℃低溫-190℃）樣品臺測溫誤差 ±0.2℃ 樣品臺變溫速率高溫 10℃/min 低溫 5℃/min 溫控儀

2023-07-25 10:40:14半導體和鈣鈦礦材料的高光譜（顯微）成像: 目前在光伏業界，正在進行一項重大努力，以提高光伏和發光應用中所用半導體的效率并降低相關成本。這就需要探索和開發新的制造和合成方法，以獲得更均勻、缺陷更少的材料。無論是電致還是光致發光，都是實現這一目標的重要工具。通過發光可以深入了解薄膜內部發生的重組過程，而無需通過對完整器件的多層電荷提取來解決復雜問題。HERA高光譜照相機是繪制半導體光譜成像的理想設備，因為它能夠快速、定量地繪制半導體發射光譜圖，且具有高空間分辨率和高光譜分辨率的特性。硅太陽能電池的電致發光光譜成像光伏設備中的缺陷會導致光伏產生的載流子發生重組，阻礙其提取并降低電池效率。電致發光光譜成像可以揭示這些有害缺陷的位置和性質。"反向"驅動太陽能電池（即施加電流）會產生電致發光，因為載流子在電極上被注入并在有源層中重新結合。在理想的電池中，所有載流子都會發生帶間重組，這在硅中會產生1100 nm附近的光（效率非常低）。然而，晶體結構中的缺陷會產生其他不利的重組途徑。雖然這些過程通常被稱為"非輻射"重組，但偶爾也會產生光子，其能量通常低于帶間發射。捕獲這些非常罕見的光子可以了解缺陷的能量和分布。在本實驗中，我們使用了HERA SWIR (900-1700 nm)，它非常適合測量硅發光衰減。測量裝置如圖1所示：HERA安裝在三腳架上，在太陽能電池上方，連接到一個10A的電源。640×512像素的傳感器安裝在樣品上方75厘米處，空間分辨率約為250微米。圖1. 實驗裝置最重要的是，HERA光學系統沒有輸入狹縫，因此光通量非常高，是測量極微弱光發射的理想選擇。圖2.A和2.B顯示了兩個波長的電致發光（EL）圖像：1150 nm（帶間發射）和1600 nm（缺陷發射），這是4次掃描的平均值（總采集時間：5分鐘）。通過分析這些圖像，我們可以看到，盡管缺陷區域的亮度遠低于主發射區域，但它們仍被清晰地分辨出來。此外，具有強缺陷發射的區域的帶間發射相對較弱。我們可以注意到有幾個區域在兩個波長下都是很暗的；這可能是由于樣品在運輸過程中損壞了電池造成的。圖2.C中以對數標尺顯示了小方塊感興趣區域（圖2A和2B中所示）的光譜。圖 2.A 和 B：兩個選定波長（1150 nm 和 1600 nm）的電致發光（EL）圖像。C：A和B中三個不同區域對應的電致發光光譜（圖像中的彩色方框）。金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜的光致發光顯微研究通過旋涂等技術含量低、成本效益高的方法，可以制造出非常高效的太陽能電池和LED。這些方法面臨的一個挑戰是在微觀長度的尺度上保持均勻的成分。光致發光顯微鏡是表征這種不均勻性的一個特別強大的工具。HERA高光譜相機可以連接到任何顯微鏡（正置或倒置）的c-mount相機端口，并直接開始采集高光譜數據，無需任何校準程序。圖3. 與尼康LV100直立顯微鏡連接的HERA VIS-NIR。在本實驗中，我們使用HERA VIS-NIR（400-1000 nm）耦合到尼康LV100直立顯微鏡（圖3）來表征兩種鹵化物前驅體合金的帶隙分布。將兩種鹵化物前驅體合金化的優點是能夠調整材料的帶隙；然而，這兩種成分經常會發生逆混合，從而導致性能損失。本實驗的目的是檢測這種逆混合現象：事實上，混合比的局部變化會改變局部帶隙，從而導致發射不同能量的光子。在這種配置中，激發光來自汞燈，通過帶通濾光片在350 nm處進行濾光，并通過發射路徑上的二向色鏡將其從相機中濾除。HERA的高通量使其能夠在大約1分鐘的測量時間內收集完整的數據立方體（130萬個光譜）。圖4.樣品的光譜綜合強度圖（A：全尺寸；B：放大）。圖4.A和4.B分別顯示了所有波長（400-1000 nm）總集成信號的全尺寸和放大圖像，揭示了長度尺度在1 μm左右的明亮特征。當我們比較亮區和暗區的光譜時（圖5.B中的黑色和紅色曲線），我們發現暗區實際上也有發射，不僅強度較低，而且波長中心比亮區短。事實上，光譜具有雙峰形狀，很可能與逆混合前驅體的發射相對應。圖5.A的發射圖清楚地顯示了帶隙的這種變化。我們現在可以理解為什么低帶隙區域看起來更亮了--載流子可能從高帶隙區域弛豫到那里，并且在發生輻射重組之前無法返回。圖5.A：顯示平均發射波長的強度圖。B：亮區和暗區的發射光譜（正常化）。東隆科技作為NIREOS國內總代理公司，在技術、服務、價格上都具有優勢。如果您有任何產品相關的問題，歡迎隨時來電垂詢，我們將為您提供專業的技術支持與產品服務。

2022-10-30 16:48:50報計劃指南｜半導體材料表征技術推薦

2021-08-30 17:14:54絕緣材料、導體材料和半導體材料的電阻值有什么不同: 通常絕緣材料電阻值＞106Ω，半導體材料電阻值在10-3Ω-105Ω，導體材料的電阻值＜10-4Ω，絕緣、半導體、導體三種材料的測試方法不同，需要有專業的測試儀器，如：北京冠測儀器公司GEST系列-體積表面電阻測試儀，導體半導體電阻率測試儀絕緣材料電阻率測試儀主要用于測試絕緣材料的絕緣電阻、體積電阻及表面電阻值，本儀器是一臺通用試驗儀器，只要不超過主機的測試量程，都可以測試，配備不同的電極，適用于橡膠、塑料、薄膜、及粉體、液體、及固體和膏體形狀的各種絕緣材料體積和表面電阻值的測定半導電橡塑電阻測試儀主要用于測量電纜用橡膠和塑料半導電材料中間試樣電阻率以及各種導電橡塑產品電阻，也可使用四端子測試夾，對金屬導體材料及產品的低、中值電阻進行測量