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2025-05-22 17:32:40共聚焦白光干涉儀: 共聚焦白光干涉儀是一種高精度表面形貌測量儀器，基于白光干涉原理，通過共聚焦技術實現高精度測量。它適用于微小結構的三維形貌測量、表面粗糙度檢測、薄膜厚度測量等，具有非接觸、高精度、快速測量等特點。在半導體、光學元件、材料科學等領域有廣泛應用，為科研和工業生產提供可靠的數據支持。

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共聚焦白光干涉儀資訊

Sensofar共聚焦白光干涉儀|端銑刀的多角度特性描述

點擊藍字關注我們端銑刀的多角度特性描述在工具行業中，光學測量在從設計和工具使用的角度都是取得成功的關鍵。

北京儀光科技有限公司 161
2024-05-31
案例分享| 西班牙Sensofar S neox共聚焦白光干涉儀用于汽車發動機缸套的紋理幾何形狀評估

激光加工可通過應用紋理來開發工程表面，可以產生增強的功能性能，如表面摩擦、觸感行為、潤濕性能等。使用皮秒和飛秒級的超短脈沖進行激光加工，可加工出具有高度精確的微觀幾何形狀、邊緣和表面的表面紋理。

北京儀光科技有限公司 1088
2023-11-01

共聚焦白光干涉儀文章

Sensofar共聚焦白光干涉儀用于薄膜晶體管技術

有一種制造LCD（液晶顯示器）的方法，該方法提高了顯示器的對比度和響應速度。它被稱為TFT（薄膜晶體管）技術。TFT是通過光刻技術制造的，了解每一層的高度至關重要。

北京儀光科技有限公司 66
2024-10-21
共聚焦白光干涉儀 Sensofar
Sensofar共聚焦白光干涉儀測量原理

雖然一開始作為高性能 3D 光學輪廓儀設計，但是我們的某些系統勝過所有現有的光學輪廓儀，集所有技術于一身。

北京儀光科技有限公司 71
2024-11-29
共聚焦白光干涉儀測量原理 Sensofar
Sensofar共聚焦白光干涉儀 | 用于有機光電器件的激光成型

卡爾斯魯厄理工學院 (KIT) 的有機光伏小組研究有機太陽能電池和半導體器件的制造、優化和仿真。我們的研究重點是評估新材料、沉積技術和器件制造，包括從單層沉積和結構化到器件表征等所有步驟。

北京儀光科技有限公司 66
2024-11-18
共聚焦白光干涉儀 Sensofar
Sensofar共聚焦白光干涉儀 | 共聚焦技術

共聚焦輪廓儀專為測量光滑表面到極粗糙表面而開發。共聚焦輪廓提供更佳的橫向分辨率，可達 0.15μm 線條和空間，空間采樣可減少到 0.01μm，這是關鍵尺寸測量的理想選擇。

北京儀光科技有限公司 69
2024-11-26
共聚焦技術共聚焦白光干涉儀 Sensofar
Sensofar共聚焦白光干涉儀 | 白光干涉技術

Sensofar共聚焦白光干涉儀為了測量非常光滑的表面到中等粗糙表面的表面高度，開發了干涉技術，可在任何放大倍率下實現相同的系統噪聲。對于 PSI，它可實現優于 0.01 nm 的系統噪聲。

北京儀光科技有限公司 73
2024-11-26
Sensofar 共聚焦白光干涉儀白光干涉技術

共聚焦白光干涉儀產品

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: 儀光新型共聚焦白光干涉儀OPTIC A60; 國內北京; ￥300000; 北京儀光科技有限公司
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: 西班牙Sensofar三維共聚焦白光干涉儀S neox; 國外歐洲; ￥1800000; 北京儀光科技有限公司
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: Sensofar三維共聚焦白光干涉儀S lynx 2; 國外歐洲; ￥1000000; 北京儀光科技有限公司
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: Sensofar集成式三維共聚焦白光干涉儀測量頭S mart2; 國外歐洲; ￥700000; 北京儀光科技有限公司
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: 西班牙Sensofar 5軸空間共聚焦白光干涉儀S neox Five Axis; 國外歐洲; ￥2600000; 北京儀光科技有限公司
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共聚焦白光干涉儀問答

2025-05-16 11:15:22白光干涉儀如何掃描: 白光干涉儀如何掃描白光干涉儀是一種通過干涉原理測量光學距離、厚度或表面形貌的精密儀器。與傳統的激光干涉儀不同，白光干涉儀利用白光源的寬譜特性，結合干涉技術，可以實現高精度、高分辨率的表面測量。本文將深入探討白光干涉儀的工作原理、掃描過程及其在實際應用中的關鍵步驟，旨在為讀者提供對白光干涉儀掃描過程的全面了解，并幫助其掌握如何利用這一儀器實現高效、的測量。白光干涉儀的核心掃描過程主要依賴于干涉條紋的形成與分析。掃描開始時，儀器首先將白光源通過分光器傳遞到待測物體表面。待測物體表面反射回來的光波會與參考光波發生干涉，形成干涉條紋。由于白光源具有寬光譜特性，干涉條紋的變化與表面形貌的細微變化緊密相關。通過精確地記錄這些干涉條紋的變化，白光干涉儀可以得到高精度的表面高度信息。在實際操作中，掃描過程通常由精密的機械部件控制。儀器會通過精確調節光源的相位差，使得干涉條紋在掃描過程中能夠清晰顯示。接著，掃描系統會將待測表面分成多個小區域，逐一測量每個區域的干涉條紋，終將所有數據綜合，繪制出完整的三維表面圖像。此過程要求儀器具有極高的穩定性和精度，以確保測量結果的可靠性和一致性。白光干涉儀在掃描過程中還會進行干涉條紋的處理與分析。由于表面形貌的微小變化會導致干涉條紋的微小位移，儀器通過復雜的算法對這些位移進行精確解算，從而得出高精度的表面形貌數據。為了提高掃描效率，現代白光干涉儀還會結合自動化控制技術，使得整個掃描過程更加快速且高效。白光干涉儀通過精確的干涉條紋掃描，能夠獲取高分辨率的表面數據，其在精密測量和表面形貌分析中具有不可替代的優勢。隨著技術的發展，白光干涉儀的掃描精度和速度不斷提升，廣泛應用于半導體制造、光學元件檢測、材料科學等領域，為各類高精度測量需求提供了強有力的技術支持。

2025-05-16 11:15:23白光干涉儀怎么測半徑: 白光干涉儀怎么測半徑白光干涉儀是一種廣泛應用于精密測量領域的光學儀器，能夠通過干涉原理對物體的幾何特性進行高精度測量。測量半徑是白光干涉儀的一項重要應用，尤其在光學工程、材料科學以及微納米技術中具有重要意義。本篇文章將詳細介紹如何利用白光干涉儀進行半徑測量，包括原理、操作步驟及注意事項，并提供一些實用的技巧以提高測量精度和效率。白光干涉儀原理簡介白光干涉儀的基本原理基于光的干涉效應。當兩束相干光通過不同路徑傳播后，若兩束光波在重新合并時波長差異恰好使其產生干涉現象，就能夠形成明暗交替的干涉條紋。通過分析這些條紋的變化，可以獲取目標物體的表面形狀、尺寸等信息。半徑測量的基本流程在實際測量中，使用白光干涉儀測量半徑的關鍵是獲取干涉條紋并通過它們推算出物體的曲率半徑。具體步驟如下：調整白光干涉儀的光源：白光干涉儀需要一個白光光源，通過濾光片或其他光學元件確保光源的波長范圍適合測量。將待測物體放置于儀器中：待測物體的表面應平整且具有反射性，以便干涉光能夠有效反射回來。記錄干涉條紋：調整儀器位置，確保干涉條紋清晰可見。干涉條紋的形態、間距以及變化情況能反映出物體表面的曲率。分析干涉條紋：根據干涉條紋的變化，通過數學公式與儀器內置的軟件進行數據計算，得出待測物體的半徑。重復測量與數據處理：為了確保測量結果的準確性，應進行多次測量，并對數據進行適當的平滑處理和誤差修正。測量精度的影響因素在使用白光干涉儀測量半徑時，有多個因素可能會影響測量精度，如環境光的干擾、儀器的校準、光源的穩定性等。為提高精度，應確保測量環境的光線條件穩定，定期進行儀器校準，且選擇合適的光源和波長范圍。結論白光干涉儀是一種精密的光學測量工具，憑借其高分辨率和準確性，被廣泛應用于半徑等幾何尺寸的測量中。通過精確調控干涉條紋的形成與分析，可以實現對目標物體半徑的高效、精確測量。要獲得佳測量結果，除了掌握操作技巧外，合理排除外界干擾因素以及定期維護儀器也是至關重要的。

2025-05-16 11:15:23白光干涉儀能測曲面嗎: 白光干涉儀能測曲面嗎白光干涉儀是一種精密的測量工具，廣泛應用于表面形貌、厚度以及物體形狀等方面的高精度檢測。其核心原理依托于干涉現象，利用光波的相位差來獲取非常細微的物理量變化。許多技術領域和科研項目中都使用白光干涉儀來檢測微小的幾何形狀變化，尤其是在高精度的曲面測量方面具有顯著優勢。本篇文章將深入探討白光干涉儀是否能有效測量曲面，分析其技術原理與應用范圍，以及該儀器在實際測量過程中面臨的挑戰與解決方案。白光干涉儀的基本原理白光干涉儀通過干涉現象來檢測物體表面的細微變化。具體來說，干涉儀利用兩束光源產生干涉圖樣，其中一束光源直接照射到物體表面，另一束則經過反射或折射等方式到達探測器。兩束光相遇時會產生干涉條紋，這些條紋的變化能夠揭示表面形態或位置的微小變化。因此，白光干涉儀不僅能夠檢測平面表面，還可以通過調整光學系統來適應曲面的檢測。白光干涉儀的曲面測量能力白光干涉儀在測量曲面時，能夠通過其光學系統自動調整焦距，從而適應曲面的彎曲變化。這使得白光干涉儀可以在一定范圍內精確地測量不同形狀和復雜度的曲面。其高分辨率能夠捕捉到微小的凹凸不平，即使是表面粗糙度和微觀結構的細微變化，也能通過干涉條紋的變動反映出來。測量曲面的精度和范圍受限于白光干涉儀的設計和技術條件。例如，在較大范圍的曲面測量中，由于光源的光程差異，干涉條紋可能不再呈現理想的分布，從而影響測量精度。因此，為了確保高精度的曲面測量，通常需要結合適當的光學調節與數據分析技術。白光干涉儀的應用與局限性白光干涉儀在各類行業中有廣泛的應用，特別是在半導體、精密制造以及材料科學等領域。在這些應用中，測量復雜曲面是一個常見需求，如在芯片制造中，曲面光學測試可用于檢查微小結構的平整性，或在光學元件的生產中，用于檢測鏡面或透鏡表面的質量。白光干涉儀并非萬能，其局限性主要體現在以下幾個方面：測量范圍限制：由于白光干涉儀的光學系統設計，其測量范圍通常局限于較小的區域。對于大型或非常復雜的曲面，可能需要多個測量位置結合才能得到完整的數據。環境因素影響：測量過程中，環境中的溫度、濕度等因素可能對干涉條紋產生干擾，從而影響測量結果的準確性。因此，實驗環境的穩定性是保證高精度測量的關鍵因素。反射率的要求：白光干涉儀的測量效果較大程度上取決于表面的反射率。對于反射率較低或具有特殊光學性質的曲面，可能需要額外的表面處理或者補充光源，以確保測量效果。結語白光干涉儀確實能夠測量曲面，并且在多個高精度應用中展現了其強大的優勢。盡管在某些條件下存在測量范圍和環境影響的限制，但通過合理的技術調整與優化，這些問題可以得到有效解決。未來，隨著技術的進一步發展，白光干涉儀在曲面測量領域的應用將更加廣泛和，推動多個行業向更高精度的目標邁進。

2023-08-21 11:50:20激光共聚焦熒光顯微鏡活體熒光物質檢查: 激光共聚焦顯微鏡，簡稱CLSM（Confocal Laser Scanning Microscopy），是一種利用激光共振效應進行成像的顯微鏡。它通過使用激光束掃描樣品的不同層面，將所得到的圖像合成成一幅清晰的三維圖像。與傳統顯微鏡相比，激光共聚焦顯微鏡具有更高的分辨率和更強的穿透能力，可以觀察到更加細微的結構和更深層次的物質。在活體熒光物質的檢查中，激光共聚焦顯微鏡發揮了重要的作用。通過標記活體細胞或組織的特定結構或分子，激光共聚焦顯微鏡可以實時觀察到這些結構或分子的活動和分布情況。在生物醫學領域，它可以用于觀察細胞的生長、分裂和死亡過程，研究細胞信號傳導和分子交互作用等。在藥物研發中，它可以用于觀察藥物在活體細胞或組織中的分布情況，評估藥物的療效和毒性。此外，在神經科學領域，激光共聚焦顯微鏡可以用于觀察神經元的活動和連接，揭示大腦的工作機制。 NCF950激光共聚焦顯微鏡較寬場熒光顯微鏡的優點：l 能夠通過熒光標本連續生產薄（0.5至1.5微米）的光學切片，厚度范圍可達50微米或更大。（主要優點）l 控制景深的能力。l能夠從樣品中分離和收集焦平面，從而消除熒光樣品通常看到的焦外“霧霾"，非共焦熒光顯微鏡下無法檢測到。（最重要的特點）l 從厚試樣收集連續光學切片的能力。l 通過三維物體收集一系列圖像，用于二維或三維重建。l收集雙重和三重標簽，精確的共定位。l 用于對在不透明的圖案化基底上生長的熒光標記細胞之間的相互作用進行成像。l 有能力補償自發熒光。耐可視共聚焦成像效果圖尼康共聚焦成成像效果圖NCF950激光共聚焦顯微鏡應用，共聚焦顯微鏡在以下研究領域中應用較為廣泛：1、細胞生物學：細胞結構、細胞骨架、細胞膜結構、流動性、受體、細胞器結構和分布變化、細胞凋亡；2、生物化學：酶、核酸、FISH、受體分析3、藥理學：藥物對細胞的作用及其動力學；4、生理學：膜受體、離子通道、離子含量、分布、動態；5、遺傳學和組胚學：細胞生長、分化、成熟變化、細胞的三維結構、染色體分析、基因表達、基因診斷；6、神經生物學：神經細胞結構、神經遞質的成分、運輸和傳遞；7、微生物學和寄生蟲學：細菌、寄生蟲形態結構；8、病理學及病理學臨床應用：活檢標本的快速診斷、腫瘤診斷、自身免疫性疾病的診斷；9、生物學、免疫學、環境醫學和營養學。NCF950激光共聚焦顯微鏡配置NCF950激光共聚焦配置表激光器激光405 nm、488 nm、561 nm、640 nm探測器波長：400-750nm，探測器：3個獨立的熒光檢測通道；1個DIC透射光檢測通道掃描頭最大像素大小：4096 x 4096 掃描速度：2 fps（512 x 512像素，雙向），18 fps（512 x 32像素，雙向），圖像旋轉: 360°掃描模式X-T, Y-T, X-Y, X-Y-Z, X-Y-Z-T針孔無級變速六邊形電動針孔；調節范圍：0-1.5毫米共焦視場φ18mm內接正方形圖像位深12bits配套顯微鏡NIB950全電動倒置顯微鏡光學系統NIS60無限遠光學系統（F200)目鏡(視野)10×(25)，EP17.5mm，視度可調-5～+5，接口Φ30觀察鏡筒鉸鏈式三目觀察鏡筒，45度傾斜，瞳距47-78mm，目鏡接口Φ30，固定視度；1）目/攝切換：（100/0,50/50,0/100)；2）目視/關閉目視/可調焦勃氏鏡NIS60物鏡10×復消色差物鏡，NA=0.45 WD=4.0 蓋玻片=0.1720×復消色差物鏡，NA=0.75 WD=1.1 蓋玻片=0.1760×半復消色差物鏡，NA=1.40 WD=0.14 蓋玻片=0.17 油鏡100×復消色差物鏡，NA=1.45 WD=0.13 蓋玻片=0.17 油鏡物鏡轉換器電動六孔轉換器（擴展插槽），M25×0.75聚光鏡6孔位電動控制：NA0.55，WD26；相襯(10/20,40,60選配）DIC（10X，20X/40X）選配.空孔照明系統透射柯拉照明，10W LED照明；落射照明：寬場光纖照明6孔位電動熒光轉盤（B，G，U標配）；電動熒光光閘；中間倍率切換手動1X，1.5X、共焦切換機身端口分光比：左側:目視=100：0；右側:目視=100：0；平臺電動控制：行程范圍130 mm x100 mm （臺面325 mm x 144 mm ）最大速度：25mm/s；分辨率：0.1μm - 重復精度：3μm。機械可調樣品夾板調焦系統同軸粗微動升降機構，行程：焦點上7下2；粗調2mm/圈，微調0.002mm/圈；可手動和電動控制，電動控制時，最小步進0.01um；DIC插板10X，20X，40X插板；可放置于轉換器插槽；選配控制搖桿，控制盒，USB連接線軟件軟件：NOMIS Advanced C圖像顯示/圖像處理/分析2D/3D/4D圖像分析，經時變化分析，三維圖像獲得及正交顯示，圖像拼接，多通道彩色共聚焦圖像

2023-08-21 11:41:24熱點應用丨OLED的光致發光和電致發光共聚焦成像: 要點光致發光和電致發光是有機發光二極管（OLED）視覺顯示發展的重要技術。與共聚焦顯微鏡相結合，使用RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀對OLED器件的光電特性進行成像研究。光譜和時間分辨成像獲得了比宏觀測試更詳細的器件組成和質量信息。介紹近年來，有機發光二極管（OLED）已成為高端智能手機和電視全彩顯示面板的領先技術之一1。使用量的快速增長是因為OLED提供了比液晶顯示器（LCD）更卓越的性能。例如，它們更薄、更輕、更靈活、功耗更低、更明亮2。在典型的OLED器件中，電子和空穴被注入到傳輸層中，然后在中心摻雜發光層中復合。這種復合產生的能量通過共振轉移到摻雜分子中，從而使其發光。OLED發光的顏色取決于發光層中所摻雜分子的化學結構。當新的有機電致發光器件開發出來時，可以利用光致發光（PL）和電致發光（EL）光譜來表征單個元件和整個器件的光電特性。在本文中，RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀用于表征四種成像模式下OLED器件的光電特性：PL、EL、時間分辨PL（TRPL）和時間分辨EL（TREL）。使用共聚焦顯微拉曼光譜儀來表征OLED的光譜和時間分辨特性獲得了比宏觀測試更詳細的信息。材料和方法測試樣品為磷光OLED器件，由圣安德魯斯大學有機半導體光電研究組提供。將樣品放置在冷熱臺（LINKAM）上，通過兩個鎢探針連接到器件電極上實現成像。使用RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀進行PL、EL、時間分辨PL（TRPL）和時間分辨EL（TREL）成像，如圖1。圖1 PL、TRPL、EL和TREL成像的實驗裝置。將裝載樣品的冷熱臺放置在顯微鏡樣品臺上，如圖2所示。對于PL測試，使用532 nm CW激光器和背照式CCD探測器；對于TRPL測試，使用外部耦合的EPL-405皮秒脈沖激光器、MCS模式和快速響應的PMT。對于EL測試，使用Keithley 2450 SMU向OLED器件加電壓，并用CCD探測器檢測；對于TREL測試，使用Tektronix 31102 AFG向OLED加一系列短脈沖電壓，使用MCS模式測試每個脈沖下的衰減。圖2 (a)安裝在RMS1000上的冷熱臺；(b) OLED器件電致發光寬場成像。測試結果與討論大面積光致發光和電致發光光譜成像OLED首次采用PL和EL光譜相結合的方法進行研究。當使用共聚焦顯微拉曼光譜儀成像時，可以表征材料在整個器件中的分布以及在發光強度和顏色均勻性方面的整體質量。圖3中的PL成像和相應的光譜提供了器件上4個區域發光層分布的信息，還顯示了電極的位置。圖3 (a)OLED器件的PL光譜強度成像；(b)a中標記的點1和點2的PL光譜。白色和灰色代表PL強度，顯示了有機發光層的位置。灰色區域為發光層被頂部電極覆蓋的位置。在頂部電極穿過發光層的地方，PL強度降低為未覆蓋區域強度的一半以下。這是由于頂部電極材料削弱了激光強度和光致發光強度。對于EL成像，鎢探針連接到與區域2相交的電極上。圖4中得到的EL圖像和相應的光譜表明了EL發光僅發生在區域2中的發光層與電極重疊的區域。在PL成像中，空間分辨率主要取決于樣品上激光光斑的大小。而在EL成像中，由于沒有激光，因此是通過改變共焦針孔直徑來改變空間分辨率（將針孔直徑減小到25 μm）。圖4 (a)OLED器件的EL光譜強度成像；(b)a中標記的點1和點2的EL光譜。EL強度在整個有源像素上不均勻，這對器件的質量有影響。在區域外邊緣有兩個（白色）垂直條帶，強度比其余部分強。此外，存在許多EL強度降低的非發光區域。這表明器件有缺陷，理想情況下，OLED將在每個像素上呈現出密集和均勻的發光。高分辨率光致發光和電致發光光譜成像為了進一步研究，使用PL和EL對EL有源像素上的較小區域（圖5a和圖5b）進行高分辨成像。圖5b網格內的上部區域是發光層與電極重疊的地方，下部區域是單獨的發光層。圖5c為 PL強度成像，再次表明被電極覆蓋的發光層PL強度小于未覆蓋的發光層。PL峰值波長圖像（圖5d）表明，有電極覆蓋的發光層與未覆蓋的發光層（611 nm）相比，PL發射峰發生紅移（620 nm）。峰值波長的變化表明在不同的區域中能級不同。圖5 (a) OLED器件電致發光寬場成像；(b)a網格內的高分辨率寬場成像；(c)PL強度成像；(d)相同區域的PL峰值波長成像；(e)EL強度成像；(f)相同區域的EL峰值波長成像。EL成像顯示，與其余部分相比發射強度較弱的缺陷（圖5e）波長發生明顯紅移（圖5f）。這是由于缺陷處的EL能帶的信號強度降低以及在662 nm處EL能帶信號強度同時增加引起的。另外，在EL有源區域的最底部的區域中，發生藍移，這與在PL圖像上看到的波長變化一致。高分辨率時間分辨光致發光和電致發光成像為獲得額外信息，在同一區域進行TRPL和TREL成像，如圖6所示。分別用激光脈沖和電脈沖，在MCS模式下測試614 nm處OLED的PL和EL衰減。利用單指數模型擬合衰減曲線。在圖6a的TRPL成像中，EL活性區域（上部區域）中的PL壽命比EL非活性區域（下部區域）中的PL壽命短大約200 ns。如圖6c所示，分別為800 ns和600 ns。這里觀察到與圖4中PL強度和波長圖像的類似梯度，沿圖向下方向的發射強度增強，并且發生了藍移。因此，根據TRPL數據可得：當光激發時，通過摻雜帶可獲得不同的能級。在圖6b中的TREL成像中，整個區域的壽命相似，大約為470 ns。發現EL壽命顯著短于相同區域的PL壽命。圖6 (a)OLED的時間分辨PL成像；(b)OLED的時間分辨EL成像；(c)a中選定區域的PL衰減曲線；(d)b中圖像的EL衰減曲線。結論RMS1000共聚焦顯微拉曼光譜儀用于測試OLED器件的PL、EL、TRPL和TREL成像。這些不同的成像模式提供了關于發光層和電極在整個器件中位置的詳細信息，在工作條件下器件的發光強度和顏色均勻性，以及關于PL和EL過程中帶隙能量的相對信息。參考文獻1. A. Salehi et al., Recent Advances in OLED Optical Design, Adv. Funct. Mater., 2019, 29, 1808803, DOI: 10.1002/adfm.201808803.2. J. M. Ha et al., Recent Advances in Organic Luminescent Materials with Narrowband Emission, NPG Asia Mater., 2021, 13, 1–36, DOI: 10.1038/s41427-021-00318-8.天美分析更多資訊