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2025-01-10 10:50:46中國食品接觸材料檢測
中國食品接觸材料檢測是指對與食品接觸的材料進行安全性評估的一系列測試。這些材料包括食品包裝、餐具、烹飪器具等。檢測項目通常涵蓋有害物質遷移、微生物污染、重金屬含量、添加劑殘留等,以確保材料不會向食品中釋放有害物質,從而保障食品安全。通過專業實驗室的嚴格檢測,可以有效評估材料的合規性和安全性,為消費者提供健康保障。同時,這也是食品生產和加工企業遵守食品安全法規的重要環節。

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2025-06-24 15:00:21非接觸陀螺減壓器怎么調
非接觸陀螺減壓器是一種高精度的機械設備,廣泛應用于各種需要精確調節壓力的領域,如航空航天、精密制造以及自動化設備等。正確的調整非接觸陀螺減壓器對于保證設備的穩定性和提高系統的效率至關重要。本文將詳細介紹如何調節非接觸陀螺減壓器,從而確保其在不同應用場景中的佳表現。 1. 非接觸陀螺減壓器的基本構造 非接觸陀螺減壓器是一種依靠陀螺效應來減少摩擦和壓力波動的設備。它通常由多個關鍵組件構成,包括陀螺轉子、減壓腔、傳感器及調節閥等。其核心特點是利用非接觸技術,確保減壓過程中的零摩擦運行,從而大幅提高了系統的穩定性和響應速度。 2. 調節非接觸陀螺減壓器的步驟 調節非接觸陀螺減壓器需要根據實際的工作需求來精細調整。下面是一般的調節流程: 2.1 確認工作壓力范圍 了解系統所需的工作壓力范圍。通過查看設備手冊或根據設備需求設定一個理想的壓力范圍。在調節過程中,應確保所選壓力值不會超過設備的承受極限。 2.2 檢查減壓器的初始設定 對減壓器進行檢查,確保其初始設定沒有異常。檢查各個連接件是否緊固、減壓腔內部是否清潔、傳感器是否正常工作。如果有損壞或污染的部件,應及時更換或清潔。 2.3 調整閥門和傳感器 根據需要調節減壓器中的閥門和傳感器。通過調節閥門的開關程度來控制氣流的大小,從而調節系統的壓力。在調節過程中,可以使用外部壓力計或內部傳感器進行實時監測,確保壓力調節在預定范圍內。 2.4 進行精細調整 完成大致的調節后,進行精細調整。這一步通常需要微調設備的反饋系統,確保壓力保持穩定且符合設計要求。非接觸陀螺減壓器能夠提供極高的響應精度,但需要在此階段避免過度調整,避免出現設備不穩定的現象。 2.5 測試并驗證效果 完成調節后,進行系統測試,確保非接觸陀螺減壓器能夠在實際工作條件下穩定運行。通過反復測試和調整,驗證減壓器是否在整個工作范圍內都能夠保持準確的減壓效果。 3. 調節時的注意事項 在調節非接觸陀螺減壓器時,必須注意以下幾個方面: 設備的清潔度:確保設備無污染物,避免任何雜質影響減壓效果。 壓力波動監控:調節時要隨時監控壓力變化,避免突然的波動對系統造成損害。 適應性測試:調整完畢后,進行不同負載條件下的適應性測試,確保設備在多種工作環境下都能穩定運行。 定期維護:為了確保長時間的穩定性,非接觸陀螺減壓器需要定期維護和校準。 4. 總結 非接觸陀螺減壓器的調節是一個細致且精密的過程,需要根據實際使用需求進行全面、科學的調整。通過正確的調節步驟和嚴格的測試,可以確保減壓器在各種工作條件下都能夠保持高效、穩定的運行。對于專業的用戶來說,精確調整和維護非接觸陀螺減壓器是確保設備長時間運行可靠性的關鍵。
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2023-04-07 16:19:16我司交付海軍非金屬材料檢測中心非金屬材料封箱實驗箱
海軍非金屬材料檢測中心經海軍后勤部衛生部,海軍裝備部艦艇部批準于2000年12月成立,隸屬于海軍醫學研究所.作為海軍艦船用非金屬材料毒性檢測及衛生學評價的第三方獨立檢測機構,主要從事艦船用非金屬材料毒性檢測及密閉環境有害物質檢測與控制等工作。我司交付海軍非金屬材料檢測中心非金屬材料封箱實驗箱。我司交付海軍非金屬材料檢測中心非金屬材料封箱實驗箱
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2021-09-27 17:28:06淺談食品包裝材料檢測項目和參考標準
現如今,包裝工業發展迅速,伴隨而來的是同行之間的激烈競爭。要想在競爭中占有更多的市場份額離不開過硬的產品質量,因此可靠的檢測儀器設備成為包裝行業必不可少的重要部分。包裝做為食品的重要組成部分,在產品出廠后的質量保護方面扮演重要角色。我們日常生活中接觸的食品包裝可謂千姿百態,食品包材的種類豐富,有紙、玻璃、塑料薄膜、金屬和復合材料等,包裝的形狀主要有杯、瓶、袋、包、屋形、罐等。對食品包裝進行檢測與控制的指標主要包括:阻隔性能、物理機械性能、衛生性能、厚度、溶劑殘留、耐蒸煮性能、密封性能、瓶蓋扭力、頂空氣體分析、印刷質量、卷封性能等。一、食品包裝材料的阻隔性食品腐敗變質的主要原因是微生物的生長和繁殖。環境中的氧氣和水蒸氣,會透過包裝材料來影響食品的品質。所以包裝材料的氧氣和水蒸氣透過率的高低與其保質期直接有著非常緊密的關系。食品腐敗變質的另一個主要原因是油脂等成分的氧化變質。因此要求食品包裝應具有很好的阻隔作用。透氧檢測標準有:ASTM D3985,ASTM F2622,ASTM F1927, ASTM F1307, ISO 15105-2, GB/T 19789。透濕檢測標準有:ISO 15106-3,DIN 53122-2,GB/T 21529。GPT-201壓差法氣體滲透儀  WPT-301 稱重法水蒸氣透過率測試儀 二、食品包裝材料的物理機械性能1、抗拉伸強度、斷裂伸長性能食品包裝最基本的功能是作為承載食品的容器,這就要求其材料要有一定的強度來防止意外的破裂。包材的抗拉伸強度、斷裂伸長是最基本的性能要求,我們可以利用萬能材料試驗機進行恒速拉伸試驗來得到拉伸強度和斷裂伸長率。常用的檢測標準有GB/T 13022。XLW-H 智能電子拉力試驗機 2、厚度包裝材料的厚度和寬度必須滿足一定的要求??梢岳镁艿臏y厚儀,在一定的標準壓強范圍內來測量薄膜或片材的厚度。檢測標準有ASTM D374,ISO 534,GB/T 6672。CHY-CA 測厚儀 3、熱封性能熱封性能直接影響食品包裝的整體物理性能。選擇合適的熱封參數(溫度、壓強、時間)對包裝材料進行熱封,以達到較好的熱封強度。熱封效果可以使用萬能材料試驗機對封口進行熱封強度的測試。檢測標準有ASTM F2029,QB/T 2358。HST-H3 熱封試驗儀 4、摩擦系數摩擦系數是用來表征軟塑包裝材料在使用過程中與材料自身或與包裝機械等其他物體接觸且發生相對運動時所產生阻力大小的物理量。包裝材料摩擦系數偏大或偏小均會對生產過程產生不利影響,如摩擦系數偏大,包裝材料發澀,則需要較大的拉拽力才能使卷軸轉動進行抽卷制袋,這不僅增大了能耗,降低了生產效率,甚至有可能使包裝材料發生拉伸變形,影響其阻隔性能及抗沖擊、抗穿刺等物理機械性能;而摩擦系數偏小,則易導致材料在使用過程中出現打滑、跑偏、疊料不穩、產生錯邊等問題。因此控制軟塑包裝卷膜的摩擦系數在適宜的范圍內對提高其使用方便性具有重要意義。常用的測試標準有GB/T 10006。MXD-02 摩擦系數儀 5、撕裂度測量撕裂強度的試驗實際上主要測量撕裂增生所需的能量,主要的測量方法有褲形法和埃萊門多夫撕裂法,優選恒定半徑試樣的埃萊門多夫撕裂法。對于消費者而言,材料的耐撕裂性能是關系到包裝物是否易開封的一個主要指標。常用的測試標準有ASTM D1922,ISO 6383/2。SLY-S1 撕裂度儀 三、食品包裝材料的密封性和氣調包裝密封性能是指包裝密封的可靠性,通過該項測試可以確保整個產品包裝密封的完整性,防止因產品密封性能不好,而導致泄漏、污染、變質等問題。有正壓和負壓兩種測試方法。越來越多的包裝開始采用氣調包裝來增加保質期,比如奶粉、咖啡、薯片和奶酪等會采用充氮和二氧化碳包裝。為了測試實際的充氣效果,需要使用頂空分析儀分析包裝內實際的氣體組分。MFY-CM 智能密封試驗儀 LSSD-01 泄漏與密封強度測試儀 濟南賽成儀器一直致力于為大部分國家客戶提供高性價比的整體解決方案,公司的核心宗旨就是持續創新,打造高精尖檢測儀器,滿足行業內不同客戶的品控需求,期待與行業內的企事業單位增進交流和合作。賽成儀器,賽出品質,成就未來! 
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2023-06-26 14:52:50無損無接觸定量評價!GaN晶體質量評估新思路——ODPL法!
隨著疫情三年的結束,大家又開始馬不停蹄出差、旅游、返鄉,生活的壓力讓人喘不過氣。更別提出行的時候,還需要背一個很沉的電腦,以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規律的、看著就很糟心的電源適配器!有沒有一種東西,能夠讓大家的出行變得更加輕松(物理上)?那必須是現在越來越流行的氮化鎵(GaN)充電器了!一個氮化鎵充電器幾乎可以滿足所有出行充電的需求,并且占地空間小,簡直是出行神器!圖1 氮化鎵(GaN)充電器氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,一種直接能隙(direct bandgap)的半導體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場強度和高電子飽和速度等特點,其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗,大大提升電力器件集成度,簡化了電路設計和散熱支持,具有重要的價值和廣泛的應用,是現在最 火熱的第三代半導體材料,沒有之一。GaN的應用不止在流行的充電器上,早在2014年日本科學家天野浩就憑借基于GaN材料的藍光LED獲得了諾貝爾獎。不過GaN就沒有缺點了嗎?或者說GaN沒有改善的地方了嗎?并不是, GaN技術的難點在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無法從自然界中直接獲取,所以GaN的主要制備方法是在藍寶石、碳化硅、硅等異質襯底上進行外延。而現在由異質外延生長的GaN普遍存在大量缺陷的問題。缺陷的存在勢必會影響到晶體的質量,從而影響到材料和器件的電學性能,最 終影響到未來半導體科技的快速發展。因此,降低GaN晶體里面的缺陷量,提高晶體質量,是當前第三代半導體領域研究很重要的一個課題。GaN晶體質量/缺陷評估的方法GaN晶體里面的雜質、缺陷是非常錯綜復雜的,無法單純通過某一項缺陷濃度或者雜質含量來定量描述GaN晶體是否是高質量,因此現在評價GaN晶體質量的手段比較有限。根據現有的報道,大致有以下幾種:多光子激發光致發光法(Multiphoton-excitation photoluminescence method,簡稱MPPL)、蝕坑觀察法(Etch pit method)以及二次離子質譜(Secondary-ion mass spectrometry,簡稱SIMS)。MPPL法多光子激發光致發光法采用長波長激發,遠大于帶邊熒光波長。激發過程需要同時吸收二個或者多個光子。通過吸收多個脈沖光子,在導帶和價帶形成電子空穴對,隨后非輻射馳豫到導帶底和價帶頂,最 后產生帶邊發光和缺陷發光。通過濾波片獲得帶邊和缺陷發光光譜和光強,改變入射光斑的位置,從而得到樣品的熒光信號三維分布,即三維成像。多光子熒光三維成像技術可以識別和區分不同類型的位錯,但是無法定量評估GaN的晶體質量,而且多光子激發的系統造價高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻:Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過適當的侵蝕可以看到位錯的表面露頭,產生比較深的腐蝕坑,借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯多少及其分布。該方法只適合于位錯密度低的晶體,如果位錯密度高,蝕坑互相重疊,就很難將它們區分。并且該方法是對晶體有損傷的,做不到無損無接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術SIMS是利用質譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進行包括氫在內的全元素分析,并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結構的信息。二次離子質譜儀具有ppm量級的靈敏度,最 高甚至達到ppb的量級,還具有進行微區成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對晶體有損傷,無法做到無損。圖4 SIMS技術以上三種技術均是評估GaN晶體缺陷的方法,但是每一種都有其缺憾的地方,它們無法做到定量的去評價GaN晶體的質量,而且具有破壞性。為了更好地定量評估GaN晶體質量,濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開始合作研發了一套基于積分球的全向光致發光系統(Omnidirectional Photoluminescence,以下簡稱ODPL),該系統是第 一個無損無接觸定量去評價GaN晶體質量的方法/系統。ODPL系統ODPL系統是首 個無接觸無損評價半導體材料晶體質量的方法,通過積分球法測量半導體材料、鈣鈦礦材料的內量子效率。該產品可以直接測量材料 IQE,具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測量方法示意圖傳統光致發光的量子效率測量指的是晶體的PLQY,即光致發光量子效率,其定義為:PLQY = 樣品發射的光子數/樣品吸收的光子數圖6 GaN樣品在積分球下的發射光譜PLQY是表征晶體發光效率最 常見的參數之一,對于絕大多數的發光材料,PLQY都是黃金標準。但是對于GaN晶體,PLQY的表征顯得不足。上圖可見,GaN的光致發射光譜呈雙峰形狀,這是由于GaN晶體中的缺陷等,會將GaN本身發射的PL再次吸收然后發射(光子回收Photon Recycling現象)。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因為存在Photon Recycling的現象,GaN的PLQY不足以表征其發光轉化效率,而真正可以表征GaN晶體發光轉化效率的定義是其真正的內量子效率:IQE = 樣品產生的光子數/樣品吸收的光子數圖8  GaN樣品的標準發射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現象以后的參數,更能直觀、定量反映GaN晶體的質量。圖9  高IQE和低IQE晶體的對比高IQE的GaN晶體通常表現為:高載流子濃度、低穿透位錯密度、低雜質濃度、低點缺陷濃度、高激發功率密度。圖10 不同穿透位錯密度晶體的IQE結果對比免費樣機預約ODPL現在ODPL樣機開放免費預約試 用活動,有意向的客戶請在評論區留言“樣機試 用”小編看到之后會第 一時間與您聯系,樣機數量有限,先到先得喲~圖11 ODPL樣機展示以上有關新品的信息已經全部介紹完畢了,如有任何疑問,歡迎在評論區留言喲。
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2021-10-12 12:48:10食品接觸材料遷移池
食品接觸材料遷移池該器具用于安裝、固定待測試樣,并注入食品模擬物進行遷移試驗預處理操作。器具符合國家標準GB 5009.156-2016《食品安全國家標準 食品接觸材料及制品遷移試驗預處理方法通則》的要求,接觸主體材質采用符合美國牌號要求的高品質不銹鋼,不會析出微量物質污染食品模擬物。 遷移池主要參數固定板:140×140mm試驗池:Φ110mm材質:食品級不銹鋼填充體積:190ml觸面高度:約20mm試驗面積:95㎡×2尺寸:140×140×60mm重量:2.6kg標準配置:不銹鋼試驗池、O型密封圈、上下壓板、定位環 遷移池技術特征:★主體采用高品質不銹鋼,材料本身無微量物質析出★兩個試樣面可同時接觸食品模擬物,提高了接觸面積★采用耐高溫、耐腐蝕、自清潔的密封圈,確保密封性能良好,保證了各類模擬物在試驗過程中無 泄漏、無揮發★遷移測試池的密封結構,確保了試樣測試面積之外的部分不與食品模擬物接觸,保證了測試面積的有效性★適用于范圍更廣的材料做遷移試驗預處理 遷移池試驗方法:1、對角的方式松開旋入式連接,移去頂端固定板。2、將材料樣品放置到固定板上,待測的表面面向食物模擬物。3、放置定位器和合適的心環。4、將第二個材料樣品放到心環上,待測的表面面向食物模擬物。5、放上頂端固定板和O型密封圈。6、對角的方式擰緊不銹鋼滾花平頭螺絲。7、使遷移池豎直。8、移去密封帽,插入漏斗。9、向心環中加入食物模擬物。10、蓋上密封帽密封。11、將遷移池保持豎直方向放入必要溫度的干燥箱中。12、然后,將遷移池從干燥箱中取出(警告:很熱?。?,冷卻到室溫后小心打開。 食品接觸材料遷移池
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