牛津原子層刻蝕機 PlasmaPro 100 ALE

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As layers become thinner to enable the next generation semiconductor devices there is a need for ever more precise process control to create and manipulate these layers. The PlasmaPro 100 ALE delivers this through specialised hardware including:

· Precise control of gas dose

· Excellent repeatability of low power RF delivery

· Rapid switching enabled by fast PLC

All these combine to enable etching with accuracy at the atomic scale.概述:

我們的設(shè)備和工藝已通過充分驗證，正常運轉(zhuǎn)時間可達(dá)90%以上，一旦設(shè)備安裝完畢，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市場應(yīng)用廣，包括但不限于： MEMS和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開發(fā)，通過打造質(zhì)量滿足生產(chǎn)需求。

PlasmaPro 100 ALE 的特點:

· 準(zhǔn)確的刻蝕深度控制；

· 光滑的刻蝕表面

· 低損傷工藝

· 數(shù)字化/循環(huán)式刻蝕工藝——刻蝕相當(dāng)于ALD

· 高選擇比

· 能加工最 大200mm的晶圓

· 高深寬比（HAR）刻蝕工藝

· 非常適于刻蝕納米級薄層

應(yīng)用: 

· III-V族材料刻蝕工藝

· 固體激光器InP刻蝕

· VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕

·  射頻器件低損傷GaN刻蝕

· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

·  類金剛石（DLC）沉積

·  二氧化硅和石英刻蝕

· 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓

· 高質(zhì)量PECVD沉積的氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

· 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕