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大功率IGBT靜態參數測試平臺

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產品特點

大功率IGBT靜態參數測試平臺,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

詳細介紹

大功率IGBT靜態參數測試平臺簡介 

普賽斯PMST功率器件靜態參數測試系統,集多種測量和分析功能一體,可以J準測量不同封裝類型功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態參數測試系統配置有多種測量單元模塊,模塊化的設計測試方法    靈活,方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

靜態測試系統無電話.jpg

系統組成

普賽斯PMST功率器件靜態參數測試系統,主要由測試儀表、上位機軟件、電腦、矩陣開    關、夾具、高壓及大電流信號線等構成。整套系統采用普賽斯自主開發的靜態測試主機,內置多種電壓、電流等級的測量單元。結合自主開發的上位機軟件控制測試主機,可根據測試項目需要,選擇不同的電壓、電流等級,以滿足不同測試需求。      

系統主機的測量單元,主要包括普賽斯P300高精度臺式脈沖源表、HCPL系列高電流脈沖電    源、E系列高壓源測單元、C-V測量單元等。其中P300高精度臺式脈沖源表用于柵極驅動與測試使用,Z大支持30V@10A脈沖輸出與測試;HCPL系列高電流脈沖電源用于集電極、發射極之間電流測試及續流二極管的測試,15μs的超快電流上升沿,自帶電壓采樣,單設備支持Z大1000A脈沖電流輸出;E系列高壓源測單元用于集電極、發射極之間電壓,漏電流測試,Z高支持3500V電壓輸出,并且自帶電流測量功能。系統的電壓、電流測量單元,均采用多量程設計, 精度為0.1%。      


 

產品特點

  • 高電壓:支持高達3.5KV高電壓測試(Z大擴展至10kV);            
    大電流:支持高達4KA大電流測試(多模塊并聯);
    高精度:支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試;
    豐富模板:內置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數;
    配置導出:支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能;
    數據預覽及導出:支持圖形界面以及表格展示測試結果,亦可一鍵導出;
    模塊化設計:內部采用模塊化結構設計,可自由配置,方便維護;
    可拓展:支持拓展溫控功能,方便監控系統運行溫度;
    可定制開發:可根據用戶測試場景定制化開發;


    技術指標

功率器件靜態測試系統主要由多臺源表、電橋、矩陣開關、PC、上位機控制軟件、夾具盒等組成。針對不同的測試需求,用戶可以選擇不同源表、夾具等




                                    PMST系統配置

關鍵參數

備注

P系列
脈沖源表

PW高達30V/10A、300V/1A

柵極特性測試

CW高達300V/0.1A、30V/1A

最小脈沖寬度200uS

HCP系列
大電流脈沖源表

PW高達30V/100A

IGBT導通壓降、二極管瞬時前向電壓測試

CW高達10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脈沖寬度80uS

HCPL系列
高電流脈沖電流源

單臺PW高達12V/1000A,可多臺并聯

最小脈沖寬度50uS

E系列
高電壓源測單元

CW高達3500V/100mA

IGBT擊穿電壓測試

最小分辨率10mV/100pA

測量精度0.1%

電橋

頻率范圍:20Hz~1MHz

IGBT各級間電容測試

HVP系列提供0~400V直流偏置電壓
S系列提供0~30V直流偏置電壓

預置偏置電阻100kΩ

矩陣開關

/

電路切換及源表切換

主機

/


測試夾具

根據器件封裝形式定制




系統具體配置由用戶自行選擇,以車規IGBT為例,一般配置如下:  


設備名稱數量功能
P300脈沖源表1臺測試柵極(基極)特性;
E100高電壓源測單元1臺測試集電極發射極(漏極源極)耐壓及漏電流;
HCPL100高電流脈沖電源1臺測試功率管導通電阻及續流二極管前向壓降;
電橋1臺客戶指定或我司推薦,測試各極間電容;
PC機1臺運行我司上位機軟件程序;
矩陣開關1臺按照國際要求進行電路切換及源表切換;
夾具至少1個針對不同的封裝形狀需要使用不同的測試夾具;


大功率IGBT靜態參數測試平臺應用

功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;



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