堿類光電倍增管，獨立式單通道

• PMM01：帶放大的PMT，用于280 - 630 nm，具有電壓輸出和SM1螺紋，兼容30 mm籠式系統(tǒng)

• PMM02：帶放大的PMT，用于300 - 800 nm，具有電壓輸出和SM1螺紋，兼容30 mm籠式系統(tǒng)

• PMT1001(/M)：帶放大的PMT，用于230 - 920 nm，具有電壓輸出和SM1螺紋，兼容30 mm籠式系統(tǒng)

• 
  

• PMT1002：帶放大的PMT，用于230 - 920 nm，具有電壓輸出和C-Mount螺紋

• PMTSS：PMT，用于185 - 900 nm，具有電流輸出和C-Mount螺紋

PMM01和PMM02包含三個8-32螺孔，用于安裝接桿；四個4-40螺孔，用于我們的30 mm籠式系統(tǒng)；SM1內螺紋，用于安裝透鏡套筒和濾光片。

Thorlabs的獨立式堿類PMT具有4種封裝形式。每種封裝具有不同的輸出信號類型和機械安裝特性。曲線標簽給出的曲線圖比較了每種PMT的輻射靈敏度；輻射靈敏度與量子效率密切相關。完整規(guī)格請看上面的規(guī)格標簽。

這些PMT有SM1或C-mount內螺紋，因此兼容我們用于30 mm籠式系統(tǒng)和SM1透鏡套筒的燕尾轉接件(下面有售)。如果您希望將這些PMT與已有的Thorlabs共聚焦和雙光子系統(tǒng)集成，請聯(lián)系我們。

PMM01和PMM02

PMM01和PMM02模塊的有源面積分別為?22 mm和?21 mm。它們內置跨阻放大器，可以通過SMA接頭直接提供輸出電壓信號。經2.5 mm的單聲道插孔可提供偏置PMT的控制電壓。實現(xiàn)偏壓控制需要*大為+1.8 V(PMM01)或+1.25 V(PMM02)的可變電壓源。每個模塊發(fā)貨時帶有一個2.5 mm的單聲道插頭，用戶可以將其連接到合適的低噪聲電壓源。

光電陰極位于SM1內螺紋之后。利用這些螺紋，可以將PMT連接到SM1透鏡套筒，有助于減少不bi要的散射進入光電陰極，或安裝?1英寸中性密度或帶通濾光片。建議不要直接安裝濾光片，因為濾光片會與窗口接觸。此外，提供四個4-40的螺孔，用于Thorlabs的30 mm籠式系統(tǒng)。外殼的三個側面都有一個8-32螺孔，用于安裝?1/2英寸和?1英寸接桿。還包含一個8-32轉M4螺紋轉接件(型號AS4M8E)，用于公制裝置。

這些PMT還包含一個±12 V電源和一根符合當?shù)貐^(qū)域使用的電線。更換用的電源在下方有售。

PMT1001(/M)和PMT1002

這些PMT的光電陰ji具有?8 mm的有源區(qū)域。內置跨阻放大器便于通過SMA接頭直接提供輸出電壓信號。這些PMT通過USB 2.0迷你端口供電和控制，這是因為PMT需要4.5到5.5 V的直流輸入和350 mA的典型電流。產品附帶一根USB 2.0 type A轉迷你轉接電纜，可將PMT連接至計算機。每個PMT可通過計算機運行的Thorlabs軟件來控制(詳情見軟件標簽)，軟件僅用于Windows? 7或10(64位)操作系統(tǒng)。

這些PMT具有兩種封裝形式，提供多種機械安裝選項。PMT1001(/M)具有SM1內螺紋，可將PMT連接到SM1透鏡套筒。此外，PMT1001(/M)還有四個4-40螺孔，可將PMT安裝到30 mm籠式系統(tǒng)，還有一個1/4"-20(M6)螺孔，用于安裝接桿，比如我們的?1英寸接桿。PMT1002具有C-mount內螺紋，可將PMT連接到C-Mount延長管。

PMTSS

該PMT模塊的有源區(qū)為3.7 mm × 13.0 mm(H × V)。通過BNC接頭提供輸出電流。與PMM01和PMM02不同，它沒有跨阻放大器；Thorlabs的TIA60跨阻放大器單獨提供。通過M8 x 1母接頭，可提供偏置PMT的控制電壓。實現(xiàn)偏壓控制需要*大為+1.20 V的可變電壓源(詳情請看曲線標簽)。每個模塊發(fā)貨時帶有一個帶引線的M8 x 1公接頭，用戶可以將其連接到合適的低噪聲電壓源。

光電陰極位于C-Mount內螺紋之后。利用這些螺紋，可以將PMT連接到C-Mount延長管，有助于減少不bi要的散射進入光電陰極，或安裝?1英寸中性密度或帶通濾光片。PMT模塊上的螺紋不夠深，不足以直接安裝帶固定卡環(huán)的濾光片。

該PMT不包含電源。利用內附M8 x 1公接頭的引線，可以連接到+15 VDC、電流限制為7 mA的電源。

規(guī)格

獨立堿式PMT

Item #	PMM01	PMM02	PMTSS	PMT1001(/M)	PMT1002
Detector Specifications
Wavelength Range	280 - 630 nm	300 - 800 nm	185 - 900 nm	230 - 920 nm
Peak Wavelength (λp)	400 nm	420 nm	450 nm	630 nm
Radiant Sensitivity at λpa (Typ.)	80 mA/W	51 mA/W	105 mA/W	78 mA/W
Quantum Efficiency at λpa (Calculated from Radiant Sensitivity)	25%	15%	>28%	>15%
PMT Gain (Max)	7.1 x 106	5.1 x 105	>1.0 x 107 See Graphs Tab for PMT Gain vs. Control Voltage	>3.0 × 106 See Graphs Tab for PMT Gain vs. Control Voltage
HV Control Voltage (Max)	0 V to +1.8 Vb	0 V to +1.25 Vb	+0.25 V to +1.00 V (Recommended) +0.25 V to +1.20 V (Maxc)	+0.50 V to +1.10 V Software Controlled
Control Voltage Connector	2.5 mm Mono Jack		M8 x 1 Power Connector	USB Mini
PMT Voltage	0 V to -1800 Vb,d	0 V to -1250 Vb,d	+250 V to +1000 V (Recommended) +250 V to +1200 V (Maxc)	+500 V to +1100 V
Photocathode Active Area	?22 mm	?21 mm	3.7 mm x 13.0 mm (H x V)	?8 mm
Dark Currente	0.3 - 3 nA (at 20 °C)	3 nA (Typ.) 20 nA (Max) (After 30-Minute Storage in Darkness)	2 nA (Typ.) 10 nA (Max)	10 nA (Typ.) 100 nA (Max)
Dark Count Ratee	100 s-1 (at 20 °C)	-	-	-
Warm-Up Time Before Applying Control Voltagee	< 10 s		30 to 60 Minutes	30 to 60 Minutes
Anode Currentf	100 μA (Max)g		10 μAh	100 μAh
Rise and Fall Time	15 μs		1.4 ns	0.57 ns (Rise)i
Photocathode Type	Bialkali	Multialkali	Multialkali	Multialkali
Photocathode Geometry	Head On		Side On	Head On
Window	Borosilicate, Plano-Concave (n = 1.49)		UV-Transmitting Glass (n = 1.48)	Borosilicate, Flat Window (n = 1.487)
Transimpedance Amplifier Specifications
Transimpedance Gain	High Z: 1 x 106 V/A 50 Ω: 5 x 105 V/A		No Amplifier Included	11000 +1000 / -500 V/A
Amplifier Bandwidth (at 6 dB)j	DC to 20 kHz		N/A	Software Configurable DC to 80 MHz, 2.5 MHz, or 250 kHz
Amplifier Noise (Typ.)	2 mV (RMS)		N/A	5.8 pA / √Hz (Total Input Noise at DC to 80 MHz Bandwidth) 6.5 pA / √Hz (Input Current Noise at 1 MHz, Cin = 4 pF)
Amplifier Offset (Typ.)	1 mV		N/A	±103 μV / °Ck
Output Signall
Output Voltage	0 - 10 V (High Z) 0 - 5 V (50 Ω)		N/A	±1.5 V (50 Ω)
Output Current	N/A		10 μA (Max)	N/A
Connector	SMA		BNC	SMA
Physical Specifications
Module Dimensions	3.65" x 1.60" x 2.46" (92.8 mm x 40.6 mm x 62.5 mm)		5.20" x 1.26" x 2.50" (132.0 x 32.1 x 63.5 mm)	3.43” x 1.60” x 2.10” (87.2 mm x 40.6 mm x 53.5 mm)	3.32" x 1.35" x 1.95" (84.4 mm x 34.3 mm x 49.6 mm)
Power Input	+12 V Pin: 40 mA Max, +12 V to +15 V -12 V Pin: 10 mA Max, -12 V to -15 V		15 VDC, 7 mA Max	5 VDC +4.5 V to +5.5 V 350 mA Typ., 500 mA Max
Included Power Supply	±12 VDC (100/120/230 VAC, 50 or 60 Hz, Switchable)m		-	-
Operating Temperature	5 to 55 °C		15 to 40 °C	5 to 50 °C
Storage Temperature	-40 to 55 °C		-20 to 50 °C	-20 to 50 °C
Module Weight	200 g (0.44 lbs)	200 g (0.44 lbs)	0.3 kg (0.66 lbs)	300 g (0.66 lbs)
Mounting Options
Internal SM1 Threads	(In Front of Window)	(In Front of Window)	-	(In Front of Window)	-
Internal C-Mount Threads	-	-	(In Front of Window)	-	(In Front of Window)
Mounting Holes	Three 8-32 Taps (8-32 to M4 Adapter Included)	Three 8-32 Taps (8-32 to M4 Adapter Included)	-	1/4"-20 (M6) Tap	-
30 mm Cage System	(Four 4-40 Taps)	(Four 4-40 Taps)	-	(Four 4-40 Taps)	-

1. 輻射靈敏度(RS)與量子效率(QE)的換算關系如下公式：

   

2. 不超過PMT的額定增益。

3. 雖然PMT可能在+1.20 V的*大控制電壓下工作，但超過推薦的控制電壓可能會縮短PMT的工作壽命。

4. 這是根據公式計算得出的值：PMT電壓 = -1000 × HV控制電壓。

5. PMT在黑暗環(huán)境打開，指定預熱時間內不施加控制電壓而且沒有入射信號時，暗電流比和暗計數(shù)規(guī)格you效。

6. PMT必xu屏蔽環(huán)境光，且bi須仔細選擇控制電壓，避免意外產生的信號尖峰超過陽極電流。超過*大陽極電流會給PMT造成無法xiu復的損傷。

7. 超過*大陽極電流會永jiu損壞PMT。

8. 超過此值，輸出信號表現(xiàn)出非線性行為。

9. 下降時間不適用于這些PMT。

10. 帶寬隨著輸出信號幅度的增大而減小。

11. 直流電壓漂移。

12. 輸出信號應保持在*大值以下，以防飽和。可以利用窗口前的SM1或C-Mount螺紋安裝ND濾光片，衰減射入PMT的光信號。

13. 更換用的電源在下方提供。

所有規(guī)格在25 °C有效，除非另有說明。

GaAsP PMT

Item #	PMT2101(/M)	PMT2102
Detector Specifications
Wavelength Range	300 - 720 nm
Peak Wavelength (λp)	580 nm
Radiant Sensitivitya (Typ.)	176 mA/W at 550 nm
	108 mA/W at 420 nm
Quantum Efficiencya (Calculated from Radiant Sensitivity)	39% at 550 nm (Typical)b
	32% at 420 nm (Typical)b
PMT Gain (Max)	>1.0 × 106
Control Voltage	+0.50 V to +0.80 V (Recommended) +0.5 V to +1.0 V (Maxc) Software Controlled
Control Voltage Connector	USB Mini
PMT Voltage	+500 V to +800 V (Recommended) +500 V to +1000 V (Max)
Photocathode Active Area	?5 mm
Dark Count Rated, e	6000 s-1 (at 25 °C, Typical) 18000 s-1 (at 25 °C, Maximum)
Warm-Up Time Before Applying Control Voltagee	30 to 60 minutes (at 25 °C)
Anode Currentf	500 μA (Max)
Rise Timeg	1.00 ns
Photocathode Type	GaAsP
Photocathode Geometry	Head On
Window	Borosilicate, Flat Window
Transimpedance Amplifier Specifications
Transimpedance Gain	11000 +1000 / -500 V/A
Amplifier Bandwidth (at 6 dB)h,i	Software Configurable DC to 80 MHz, 2.5 MHz, or 250 kHz
Amplifier Noisei (Typ.)	5.8 pA / √Hz (Total Input Noise at DC to 80 MHz Bandwidth) 6.5 pA / √Hz (Input Current Noise at 1 MHz, Cin = 4 pF)
Amplifier DC Offset Drift (Typ.)	±103 μV / °C
Maximum Inputj	±500 μA
Output Signalk
Output Voltage	±1.5 V (50 Ω)
Output Current	N/A
Connector	SMA
Physical Specifications
Module Dimensions	3.43” × 1.60” × 2.10” (87.2 × 40.6 × 53.5 mm)	3.32" × 1.35" × 1.95" (84.4 × 34.3 × 49.6 mm
Power Input	5 VDC (+4.5 V to +5.5 V) 350 mA Typ., 500 mA Max
Operating Temperature	5 to 35 °C
Storage Temperature	-20 to 50 °C
Module Weight	300 g (0.66 lb)
Mounting Options
Internal SM1 Threads	(In Front of Window)	-
Internal C-Mount Threads	-	(In Front of Window)
Mounting Holes	1/4"-20 (M6) Tap	-
30 mm Cage System	(Four 4-40 Taps)	-

1. 輻射靈敏度(RS)與量子效率(QE)的換算關系如下公式：

   

2. 不同PMT的量子效率可能不同。

3. 雖然PMT可能在+1.0 V的*大控制電壓下工作，但超過推薦的控制電壓可能會縮短PMT的工作壽命。

4. 放在暗室30分鐘后測量。

5. PMT在黑暗環(huán)境打開，指定預熱時間內不施加控制電壓而且沒有入射信號時，暗計數(shù)規(guī)格you效。

6. PMT必xu屏蔽環(huán)境光，且bi須仔細選擇控制電壓，避免意外產生的信號尖峰超過陽極電流。超過*大陽極電流會給PMT造成無法xiu復的損傷。

7. 在+0.8 V控制電壓和25 °C環(huán)境下測量。

8. 帶寬隨著輸出信號幅度的增加而減小。

9. 放大器帶寬與等效輸入電流噪聲都為典型值，取決于源電容。為了達到*佳帶寬和噪聲性能，可在放大器的輸入端使用較短的電線，以減小電容。

10. 超過這個規(guī)格工作很可能yong久性損壞放大器。

11. 輸出信號應保持在*大值以下，以防飽和。窗口前可以利用SM1或C-Mount螺紋安裝ND濾光片，衰減射入PMT的光信號。

所有規(guī)格在25 °C有xiao，除非另有說明。

多通道PMT

Item #	PMTSS2	PMTSS2-SCM
Detector Specifications
Wavelength Range	185 - 900 nm
Peak Wavelength (λp)	450 nm
Radiant Sensitivity at λpa (Typ.)	105 mA/W
Quantum Efficiency at λpa (Calculated from Radiant Sensitivity)	>28%
PMT Gain (Max)	>1.0 × 107 See Graphs Tab for PMT Gain vs. Control Voltage
Control Voltage	+0.25 V to +1.00 V (Recommended) +0.25 V to +1.20 V (Maxb)
Control Voltage Connector	M8 x 1 Power Connector
PMT Voltage	+250 V to +1000 V (Recommended) +250 V to +1200 V (Maxb)
Photocathode Active Area	3.7 mm × 13.0 mm (H × V)
Dark Currentc	2 nA (Typ.) 10 nA (Max)
Dark Count Ratec	-
Warm-Up Time Before Applying Control Voltagec	30 to 60 Minutes
Anode Currentd	10 μA  (Max)
Rise and Fall Time	1.4 ns
Photocathode Type	Multialkali
Photocathode Geometry	Side On
Window	UV-Transmitting Glass (n = 1.48)
Transimpedance Amplifier Specifications
Transimpedance Gain	No Amplifier Included
Amplifier Bandwidth (at 6 dB)e	N/A
Amplifier Noise (Typ.)	N/A
Amplifier Offset (Typ.)	N/A
Output Signalf
Output Voltage	N/A
Output Current	10 μA (Max)
Connector	BNC
Physical Specifications
Module Dimensions	10.18" × 8.09" × 3.40" (258.5 × 205.5 × 86.4 mm)	8.09" × 2.43" × 3.40" (205.5 × 61.8 × 86.4 mm)
Power Input	15 VDC, 7 mA Max
Operating Temperature	15 to 40 °C
Storage Temperature	-20 to 50 °C
Module Weight	1.4 kg (3.08 lb)	0.9 kg (1.98 lb)
Mounting Options
Internal SM1 Threads	(On Input Port and Filter Cube)	(On Input Port and Filter Cube)
Internal C-Mount Threads	(In Front of Windowg)	(In Front of Windowg)
Mounting Holes	1/4" (M6) Counterbored Slots	1/4" (M6) Counterbored Slots
30 mm Cage System	-	-

1. 輻射靈敏度(RS)與量子效率(QE)的換算關系如下公式：

   

2. 雖然PMT可能在+1.20 V的*大控制電壓下工作，但超過推薦的控制電壓可能會縮短PMT的工作壽命。

3. PMT在黑暗環(huán)境打開，指定預熱時間內不施加控制電壓而且沒有入射信號時，暗電流比和暗計數(shù)規(guī)格you效。

4. PMT必xu屏蔽環(huán)境光，且bi須仔細選擇控制電壓，避免意外產生的信號尖峰超過陽極電流。超過*大陽極電流會給PMT造成無法xiu復的損傷。

5. 帶寬隨著輸出信號幅度的增加而減小。

6. 輸出信號應保持在*大值以下，以防飽和。窗口前可以利用SM1或C-Mount螺紋安裝ND濾光片，衰減射入PMT的光信號。

7. 除非將PMT與濾光片立方體組件分離，否則C-Mount螺紋不可用。

所有規(guī)格在25 °C時you效，除非另有說明。

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