脈沖等離子PulsPlasma?系統包括真空爐室，輔助加熱系統，保溫系統，溫度測量系統，鐘罩提升系統，工藝氣體循環系統，冷卻系統，工藝控制系統以及離子發生器系統。這其中的離子發生器系統是普發拓普公司的設計，可以完全避免打弧現象的發生而且節能效果明顯。爐體可以是鐘罩式設計，也可以是井式爐或臥式設計。根據設備的大小，加熱控制區至少配有三組獨立控制升溫和降溫的加熱器，通過這些獨立控制的加熱器獲得較好的均溫性。

工藝特點：

• 通過熱壁技術實現良好的均溫性

• 工藝氣體消耗少，沒有污染氣體

• 靈活的滲氮溫度，溫度范圍 300 ℃ - 800 ℃

• 白亮層可控

• 可處理不銹鋼

• 可處理燒結鋼

• 可以在同一爐工藝集成脈沖離子氮化-氧化工藝

 設備特點：

• 不產生打弧，工件表面無破壞

• 加熱和控制系統，至少3區獨立的加熱和冷卻區域

• 控制區溫度均勻分布

• PulsPlasma?電源，電壓和電流近乎方波，幾微妙內獲得

• 設定的全部脈沖電流，主動抑制打弧監測（開關時間< 0.1 μs）

• 電源可升級至5年質保

• 可在低溫下對工件表面進行等離子清洗

• 設備布局緊湊，節省空間，所有部件集成在一個基礎框架內

• 模塊化設計，提供單室型、交替型和雙室型設備

• 特殊航天保溫材料，熱容量低，功率損耗低，節省重量

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