- 2025-01-21 09:33:41終端射頻技術
- 終端射頻技術用于無線通信終端設備，涉及天線設計、射頻信號處理、頻率合成、功率放大等方面。它是實現無線通信功能的關鍵技術，直接影響通信質量、速度和穩定性。終端射頻技術在智能手機、物聯網設備等領域有廣泛應用，隨著無線通信技術發展，它正朝著更高速度、更低功耗、更小尺寸的方向不斷進步，以滿足現代通信需求。
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終端射頻技術相關內容
終端射頻技術資訊
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- 工信部發布《公眾移動通信eMTC系統終端射頻技術要求》
- 相關單位應做好eMTC系統與現有公眾移動通信和專用移動通信網絡之間的頻率使用優化工作，切實提高頻率利用率。
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- 凌云光技術 TBS1102B 系列射頻切換開關
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終端射頻技術問答
- 2023-02-02 15:00:12溫濕度試驗箱制冷循環終端技術簡要分析
- 對于- 40°C型號能夠選用單極·致冷循環系統,，還可以選用復疊式致冷呼吸系統，但單極·致冷循環系統是靠調小制冷壓縮機的空調膨脹閥打開度，減少冷媒總流量制人數來降低揮發工作壓力（約0.7個大氣壓力），進而得到更低的揮發溫度的，那樣的設計構思要以系統軟件的空調制冷量來超過的（空調制冷約只能規范的0.7~0.8），造成致冷高效率低并增加了制冷壓縮機的負荷，并且易造成制冷壓縮機電磁線圈超溫，影響了制冷壓縮機的使用壽命。冷藏控制系統設計：獲得-20°C下列的超低溫時均選用復疊式致冷呼吸系統。為皓天環境試驗箱獲得超低溫而選用二級縮小復疊致冷循環系統的緣故：(1)單極縮小蒸汽致冷循環系統壓比的限定單極蒸汽縮小式制冷機組的最之低揮發溫度，關鍵在于它的冷疑工作壓力及壓縮比冷媒的冷疑工作壓力由冷媒的類型和自然環境物質（如氣體或水）的溫度決策，在一般來說，它處在0.7~1.8Mpa范圍之內壓縮比與冷疑工作壓力和揮發工作壓力相關，當冷疑工作壓力必須時，隨之揮發溫度的減少，揮發工作壓力也相對降低，因此使壓縮比升高，它將造成制冷壓縮機排氣管溫度的上升，潤滑脂變稀，使潤化標準化壞，比較嚴重時乃至會出現結炭和拉缸狀況；與此同時，壓縮比的擴大將造成制冷壓縮機的輸氣指數減少，空調制冷量降低,具體縮小全過程偏移等熵全過程越來越遠制冷壓縮機功率提升，致冷指數降低合理性減少將出現下列某些危害。a.一切冷媒，揮發溫度越低，則揮發工作壓力也越多低過低的揮發工作壓力，有時候將會導致制冷壓縮機無法呼吸，或是使外部的氣體進到制冷機組。b.當揮發溫度過低時，一些常見冷媒已達凝結溫度，沒法保持冷媒的流動性，循環系統。c.揮發工作壓力減少，冷媒的比體積擴大冷媒的質量流量降低空調制冷量大大的降低以便得到需要空調制冷量務必擴大呼吸容量，使制冷壓縮機容積過度巨大。(2)冷媒熱物理學特點的限定。如今溫濕度試驗箱中單極·致冷循環系統大部分選用的中溫冷媒是R404A，在一個大氣壓下其揮發溫度是46.59C（R22/-40.7°C），但蒸發冷卻式冷卻器熱傳導溫度差一般取10°C上下（在強制性排風熱管散熱循環系統下空調蒸發器和內箱的溫度差），就是箱里只有制得-36.5°C的超低溫。或許，根據降低制冷壓縮機的揮發工作壓力，能夠將R404A冷媒的最之低揮發溫度減少到-50°C；因此要獲得- 50°C及下列的超低溫時務必選用中溫冷媒與超低溫冷媒復疊式的致冷循環系統，制得-50°C ~ -80°C的超低溫，超低溫冷媒通常采用R23它在一個大氣壓下的揮發溫度是-81.7°C。(3)制冷壓縮機電磁線圈熱管散熱的限定單極制冷壓縮機工作中時，在做-35°C上下，由于制冷壓縮機的電磁線圈是旋空在制冷壓縮機正中間的，這就造成1個難題。-35°C時，制冷壓縮機的底壓是為負標值，也就是說造成了1個真空值，那樣電磁線圈的頂部發熱量就沒有方法消散，那樣就制冷壓縮機表層是非常涼，但是事實上內部，他的溫度是很高的（由于真空泵是最之好的隔熱保溫物質）！在掌握完為皓天環境試驗箱的致冷循環系統技術性以后，在接下去，東莞皓天設備將會就高溫試驗箱、熱冷沖擊性環境試驗箱等環境試驗設備的有關技術性逐一開展新研發，讓顧客朋友們把握各類技術性步聚，為更強的搞好各類試驗服務項目。
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- 2022-11-28 13:28:03射頻、微波產品-歡迎咨詢
- 大功率寬帶固態連續波功率放大器（頻率范圍:4kHz-100GHz,功率范圍:1W-50kW）頻率0.35~0.4GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率0.44~0.52GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率0.1~0.7GHz-功率53dBm-增益±5dB頻率0.5~1.0GHz-功率57dBm-增益±3dB頻率1.2 ~1.4GHz-功率60dBm-增益±1dB頻率1.4~1.6GHz-功率57dBm-增益±1dB頻率1.8 -2.2GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率2.7~3.1GHz-功率57dBm-增益±0.5dB頻率3.4~3.8GHz-功率57dBm-增益±1.5dB頻率4.5~4.8GHz-功率53dBm-增益±2dB頻率2.5~6.0GHz-功率55dBm-增益±1dB頻率1.0~6.0GHz-功率53dBm-增益±2dB頻率6.0~18.0GHz-功率53dBm-增益±1dB頻率18.0~26.5GHz-功率50dBm-增益±1dB頻率26.5~40.0GHz-功率46dBm-增益±1dB頻率58.0~62.0GHz-功率37dBm-增益±1dB電磁兼容系統、無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理、計量檢測和醫療設備等 大功率寬帶固態脈沖波功率放大器[頻率范圍:4kHz-45GHz,功率范圍:100W-500kw(占空比0.1%-10%可調)]頻率0.728~0.96GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率1.4~1.6 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB頻率1.805~2.17 GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率2.3~2. 7GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率3.4~3.8 GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率4.5~4.8 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB頻率5.1~5.9 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB應用領域:電磁兼容系統、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理等。 大功率寬帶固態脈沖和連續波功率放大器(頻率范圍4kHz-6GHz,功率范圍:連續波10W-1kW,脈沖波100W-10kW)頻率0.728~0.96GHz-功率69dBm-增益±1.5dB頻率1.805~2.17GHz-功率69dBm-增益±1.5dB頻率2.3~2.7GHz-功率69dBm-增益±1.5dB應用領域:無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、計量檢測等。 大功率寬帶TWT功率放大器(頻率范圍:1GHz-40GHz,功率范圍:20W-500W)頻率6~18GHz-功率53dBm-增益±1.5dB頻率18~26.5GHz-功率50dBm-增益±1.5dB頻率26.5~40GHz-功率46dBm-增益±1.5dB應用領域:電磁兼容系統、無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理計量檢測和醫療設備等。工作頻段及輸出功率可根據用戶要求定制 輸入頻率范:1695±15MHz,輸出頻率: 132.5±15MHz, 增益:63dB±2dB（常溫）\60dB-70dB（-40℃-- +55℃）高頻頭LNB RF輸入頻率: 800-900MHz, RF輸入功率: -10~10dBm,輸出功率: 9.3-9.4 GHz---上變頻器RF輸入頻率: 800-900MHz, RF輸入功率: -10~10dBm,Gain: 20-25 dB----下變頻器 中心頻率: 10.2GHz. 輸出功率: 200W, 輸入功率: 10mW---X波段固態功放模塊 寬帶固態連續波功率放大器模塊(寬帶連續波功率:1W-50W,頻率:10kHz-18GHz)頻率:1.0~2.0GHz -功率47dBm-增益47dB頻率:1.0~3.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:1.0~6.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:2.0~4.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:2.0~6.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:6.0~18.0GHz -功率43dBm-增益43dB 頻率: 824-849MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 800-1000MHz, 抑治: ≥30dB,頻率: 1710-1755MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 1920-2170MHz, 抑治: ≥50dB,頻率: 2110-2155MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 2110-2170MHz, 抑治: ≥40dB, 頻率: 2300 –2400MHz, 抑治: ≥50dB, 帶阻濾波器技 頻率: 925-960MHz, 抑治: >50 dB, 頻率: 1550-1620MHz, 抑治: ≥30 dB,頻率: 1805-1880MHz, 抑治: >50 dB, 頻率: 1893～1915MHz, 抑治: >50 dB,頻率: 2400-2483MHz, 抑治: ≥30 dB,頻率: 31.92-435.92MHz, 抑治: ≥30 dB, 帶通濾波器 腔體濾波器|介質濾波器|介質雙工器|LC濾波器|LC雙工器| 0.3-2GHz-Vivaldi天線-水平、垂直雙線極化- > -10dBi增益- SMA-50K2-8GHz-角錐喇叭天線-單線極化- 8～12dB增益- SMA-50K2-18GHz -角錐喇叭天線-單線極化- 8～12dB增益- SMA-50K6-18GHz -角錐喇叭天線-單線極化- 10～18dB增益- SMA-50K0.8-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化--4～18dB增益- 2.92mm1-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 2～21dB（需要補測1-2GHz）增益- SMA-50K6-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 12～18dB增益- SMA-50K8-23GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 13~19dB增益- SMA-50K18-40GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 14～20dB增益- SMA-K34-36GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 18dB增益- 2.92-50K 聯系方式（18013849410）微信同號
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- 2022-01-11 12:01:50“射頻萬用表”頻譜分析儀的七大性能指標解析
- 頻譜分析儀是一種用于在頻域中顯示信號幅度的儀器。射頻領域被稱為“射頻萬用表”， 頻譜分析儀可用來進行通用頻譜分析、 射頻記錄和回放 、 EMC 一致性測試和故障排除 、頻譜監測、無線電定位和干擾搜尋 等，使用十分廣泛。很多剛入門的工程師在選型時不知道該著重關注哪些指標，下面安泰測試針對頻譜分析儀的七大性能指標進行講解，希望對大家有所幫助：1、輸入頻率范圍它指的是頻譜分析儀可以正常工作的Z大頻率范圍。 該范圍的上限和下限由HZ表示，HZ由掃描本地振蕩器的頻率范圍確定。 現代頻譜分析儀的頻率范圍通常從低頻段到射頻頻段，甚至微波頻段，如1KHz到4GHz。 這里的頻率是指中心頻率，它是顯示頻譜寬度中心的頻率。2、分辨率帶寬光譜中兩個相鄰分量之間的最小行間距定義為HZ。 它表示光譜儀在指定的低點區分兩個幅度相等的信號的能力。 在頻譜分析儀的屏幕上看到的測量信號的頻譜線實際上是窄帶濾波器的動態幅頻特性圖（類似于鐘形曲線）。 因此，分辨率取決于幅頻帶寬的帶寬。 為窄帶濾波器的幅度頻率特性定義的3dB帶寬是頻譜分析儀的分辨率帶寬。3、敏感性頻譜分析儀在給定分辨率帶寬，顯示模式和其他因素下顯示最小信號電平的能力以dBm，dBu，dBv，V等表示。超外差光譜儀的靈敏度取決于儀器的內部噪聲。 測量小信號時，信號線顯示在噪聲頻譜上。 為了從噪聲頻譜中輕松看到信號線，一般信號電平應比內部噪聲電平高10 dB。 此外，靈敏度還與掃描速度有關。 掃描速度越快，動態幅頻特性的峰值越低，靈敏度越低，產生幅度差。4、動態范圍可以以指定的精度測量輸入端同時出現的兩個信號之間的最大差異。 動態范圍的上限受到非線性失真的約束。 有兩種方法可以顯示頻譜分析儀的幅度：線性對數。 對數顯示的優點在于它可以在屏幕的有限有效高度范圍內獲得大的動態范圍。 頻譜分析儀的動態范圍高于60dB，有時甚至超過100dB。5、頻率掃描寬度（Span）有不同的方法來分析頻譜寬度，掃描寬度，頻率范圍，頻譜跨度等。通常是指可以在光譜儀顯示屏的左右垂直校準線中顯示的響應信號的頻率范圍（光譜寬度）。根據測試需要自動調整或人工設置。掃描寬度表示光譜儀在測量過程中顯示的頻率范圍（即頻率掃描）可以小于或等于輸入頻率范圍。頻譜寬度通常分為三種模式。（1）全掃描頻譜分析儀可以一次掃描其有效頻率范圍。（2）每個掃頻光譜儀必須一次只掃描一個指定的頻率范圍。可以改變在每種情況下表示的光譜寬度。零掃描頻率的頻率為零，頻譜分析儀不掃描頻率，并成為調諧接收器。6、掃描時間（掃描時間，簡化為ST）。也就是說，執行全頻率范圍掃描并完成測量所需的時間，也稱為分析時間。 通常掃描時間越短，在未來保證測量精度的情況下，需要將掃描時間控制在適當的范圍內。與掃描時間相關的因素主要有頻率掃描范圍、分辨率寬帶、視頻濾波。現代頻譜分析儀通常具有多級掃描時間，最小掃描時間由測量通道的電路響應時間決定。7、幅度測量精度J對幅度精度和相對幅度精度由許多因素決定。 絕對幅度精度是滿量程信號的指標，它受輸入衰減，IF增益，分辨率帶寬，比例保真度，頻率響應和校準信號本身精度的影響。 相對幅度精度與測量方法有關，在理想條件下，只有兩個誤差源，頻率響應和校準信號精度。 準確度可能非常高。 儀器必須在制造前進行校準。 各種錯誤已單獨記錄并用于校正測量數據。 顯示的幅度精度得到了改善。如果您在選型頻譜分析儀過程中有什么問題，歡迎訪問安泰測試網www.agitek.com.cn。
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- 2020-12-18 09:31:46農田土壤墑情遙測終端、無線數傳終端
- 我公司研發生產的墑情監測數傳遙測裝置，低功耗設計、可無線網絡數據通信（4G、NB-IoT、LoRaWan、BD、GPRS可選）。采集分辨率0.001
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- 2022-11-18 16:15:48反應離子刻蝕技術
- 反應離子刻蝕概述：反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應用于物理，生物，化學，材料，電子等領域。 工作原理：通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變為非彈性碰撞, 產生二次電子發射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復合。當電子的產生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續不斷地維持下去。由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。 刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發性氣體。對于鍺材料、選用含F 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結合, 形成穩定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發性氣體) 。 設備：典型的（平行板）RIE系統包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入，并通過底部離開真空泵系統。所用氣體的類型和數量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調節氣體流速和/或調節排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內。存在其他類型的RIE系統，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統中，利用RF供電的磁場產生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實現非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產生定向電場以實現更多的各向異性蝕刻輪廓。 操作方法：通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產生等離子體 。在場的每個循環中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應于RF電場，更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統的電子狀態。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞，反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻，用于挖掘深部特征。
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滬公網安備 31011502008050號