德國IPLAS  MPCVD CYRANNUS? 技術

第四代半導體，熱沉器件，光學窗口

Iplas公司與1997 年在德國科隆由Hildegard Sung-Spitzl博士及其丈夫Ralf Spitzl博士建立。兩位創世人在基礎物理和應用物理領域具有淵博的知識，并在等離子技術領域具有深厚的研究開發經驗。

Ralf Spitzl 博士至今已有逾三十多年的等離子物理研究經歷，Ralf Spitzl 博士于 1996 年發明了CYRANNUS?等離子源，并與 1998 年取得了CYRANNUS?的第 一個專 利。2003 年 Iplas 制造了16" CYRANNUS? I 等離子源，是世界上最 大的可在大氣壓下運行的商用等離子源，同年因其CYRANNUS? 技術的卓 越性能，iplas 和美國阿貢國家實驗室共同獲得 R&D100 獎項。今天 Iplas已經擁有等離子技術領域的 20 余項國際專 利。

金剛石在Ir/YSZ/Si上的異質外延

德國Audiaec公司采用的是德國IPLAS設備，目前德國Audiaec與DF公司合并了。

Augsburg Diamond Technology GmbH利用化學氣相沉積技術在外源襯底(異質外延)上合成單晶金剛石。同外延的普遍概念是需要適當尺寸的單晶金剛石作為種子，與此相反，我們的新方法采用多層體系Ir/YSZ/Si作為可擴展的襯底。 這一創新有助于S次在直徑達100毫米的圓盤上合成單晶金剛石。

IR/ YSZ /SI

直徑為100mm的異質外延金剛石合成襯底:銥/釔穩定氧化鋯/硅，用于第四代半導體， 是第四代半導體材料。

鉆石晶片：獨立式單晶鉆石圓盤，直徑92毫米，重量155克拉

產品

具有獨特尺寸的單晶鉆石

我們的鉆石已經成功地集成在各種高科技產品中，如超精 密加工的刀具，手術刀，固體鉆石球體，ATR棱鏡....

為實現您的特定產品，我們可以提供不同形狀，大小和晶體取向的單晶鉆石。4p Geo A, 4p Geo B, 2p類型1,2p類型2，種子晶體，特殊形狀，光學規格:尺寸a、b、c的標準公差:+0,25 / - 0,00mm(根據要求:+0,05 / - 0,00mm) 2p石頭:poli

創新科技培育鉆石是在一臺高新技術儀器中，模擬自然環境下天然鉆石生成所需的環境而生成的鉆石。培育鉆石是由優秀的科學家、專業的工程師及嫻熟的技術人員所創造，是人類科技智慧的結晶。

專家預言本世紀最  重要的發明將是會長大的鉆石，是半導體的材料。培育鉆石會取代硅在半導體的角色，研發第四代半導體，使人類科技進入另一世界，培育鉆石作為一種新貴資源也將成為人們追逐的熱點。