1、 設備組成以及主要功能

少子壽命測試儀WCT-120包括如下部分：

1）帶有渦電流感應器的樣品臺，2）帶有紅外濾光片的程控閃光燈光源系統，3）內置WCT-120軟件以及NI采集卡的電腦一套，4）用于信號傳輸的信號盒，5）程控的電源供應器FPS-300，5）連接各個硬件的連接線等

Suns-Voc包括如下部分：

1） 放置樣品的測量臺，2）帶有中性濾光片的程控閃光燈，3）內置WCT-120軟件以及NI采集卡的電腦一套（與WCT-120共用），4）用于信號傳輸的信號盒（與WCT-120共用）5）程控的電源供應器FPS-300（與WCT-120共用），5）連接各個硬件的連接線等

少子壽命測試儀WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的標準附屬設備）的主要功能

1）量測得到硅片樣品在注入濃度下的符合SEMIZX標準PV13-0211的經過校準后的復合少子壽命值即Tau@Δn

2） 量測得到硅片樣品的電阻率 Resistivity

3） 量測得到硅片樣品的陷阱密度Trap density

4） 量測得到硅片樣品發射極飽和電流密度J0

5） 量測得到硅片樣品在沒有做成太陽能電池片之前估計在1個太陽輻照度下的ZD開路電壓值One-Sun Voc

6） WCT-120可以搭配標準附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量測形成PN結后的樣品在不同輻照強度下的開路電壓值以及通過內建模型計算出樣品的ZDIV特性參數；ZDTeff，ZDFF等。同時可以通過計算獲得電池片的串聯電阻值Rs

2、 技術參數

2.1 WCT-120技術參數

1） 符合SEMIZX光伏產品少子壽命量測標準，SEMI PV13-0211標準：利用渦電流傳感器以非接觸測試方法量測硅片,硅塊，硅錠過剩載流子復合壽命

Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor

2） 量測原理：利用渦電流法獲得硅片樣品在準穩態光脈沖下獲得的光電導（QSSPC）和瞬態光脈沖下獲得的光電導（TPC），并將量測得到的光電導利用載流子遷移率標準等式轉換成對應的載流子濃度，并ZZ得到不同載流子濃度下對應的硅片少子壽命值

3） 硅片少子壽命量測范圍：0.1us—10ms（在對應的注入濃度（Δn）下）

4） 量測（分析）模式包括：準穩態（QSSPC）， 瞬態（Transient），以及一般態（Generalized）三種分析模式三種

5） 量測電阻率范圍：3–600 (未摻雜樣品) Ohms/sq.

6） 可調光偏壓范圍：0-50suns

7） 經過校準的注入濃度范圍：10¹³–10¹⁶ cm-3

8） 光源光譜：白光和紅外光

9） 光源波長：>1000nm

10） 量測樣品感應器大小：直徑為40mm

11） 感應器感應深度：3000um

12） 量測樣品大小：直徑40-210mm；直徑更小的樣品也可以量測

13） 量測樣品厚度：10-2000um；其他厚度樣品也可以量測

14） 樣品的贗開路電壓（Implied Voc）： 可以得到樣品在做成太陽能電池片之前的贗開路電壓（implied Voc）

15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作為WCT-120的附件。

16） A/D轉換器的分辨率：12bit ZD采樣率為5MS/s

17） 工作溫度：20℃-25℃

18） 設備尺寸：22.5 cm 寬 x 28 cm深 x 57 cm 高

19） 通用電源電壓：100-230VAC, 50/60Hz

20） 保質期：一年保修所有硬件和軟件

2.2 Suns-voc技術參數

1） 量測得到樣品在開路狀態下的贗電流電壓（implied IV）曲線：

2） 量測得到樣品在做成電池片之前獲知其本應能夠得到的ZD效率值，和ZD填充因子。

3） 可以實現對樣品進行雙二極管模型分析，得到電池片的J01和J02。

4） 得到樣品的并聯電阻（shunt Resistance）電阻值，分析電池片的漏電狀況。

5） 經過校準的光源的輻照范圍：0.006-6個suns

6） 量測樣品尺寸：ZD為210mm

7） 夾具溫度可控制在25攝氏度

8） 工作溫度：18℃-25℃

9） 設備損耗功率：260W

10）設備尺寸：32 cm 寬 x 28.5 cm深 x 75 cm 高

11）量測原理：電池片工作在開路狀態，通過量測探針直接量測電池片在不同服照度下的開路電壓值，軟件內建雙二極管模型回推得到J01，J01, Rshunt等參數，也可以通過計算得到電池片的少子壽命值，并可以去除電池片串聯電阻Rs的影響回推得到電池片在相應制程下應該得到的ZDIV參數（ZD效率，ZD填充因子等）

3、WCT-120&Suns-voc設備應用

1）監測原始材料的質量，對其進行等級分類。

2）檢測晶元重金屬含量處理

3）評估硅片表面和發射極摻雜擴散

4）電池片制造工藝的監控和優化

5）提供太陽能電池片在加工過程中能夠得到的ZDIV參數

4、WCT-120&Suns-Voc組成清單

1）WCT-120樣品臺一個

2）含有紅外濾光片的WCT-120程控閃光燈光源系統一套

3）Suns-Voc樣品臺一個

4）帶有中性濾光片的Suns-Voc程控閃光燈光源系統一套

5）信號盒一個

6）帶有WCT-120和Suns-Voc軟件和NI數據采集卡的電腦一套

7）硬件連接線纜

8）電源供應器一套

9）校準套件 一套